[发明专利]一种半导体薄膜平坦度改善的方法在审
| 申请号： | 201910734324.0 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110592665A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 董晨华;林志鑫;曹共柏 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C30B25/16;C30B25/20;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/455;C23C16/52;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体薄膜平坦度改善的方法，所述方法包括:提供晶圆；执行气相沉积，以在所述晶圆的表面形成外延层；其中，在所述气相沉积过程中加入抑制所述外延层的生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，提高所述外延层的平坦度。根据本发明提供的半导体薄膜平坦度改善的方法，通过在执行气相沉积时通入抑制所述外延层生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，抑制了边缘外延层的生长，改善了边缘处的形貌，减少了SFQR值，改善了外延层的平坦度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 平坦度 晶圆 气相沉积 半导体薄膜 边缘区域 生长 形貌 表面形成 边缘处 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜平坦度改善的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供晶圆；/n执行气相沉积，以在所述晶圆的表面形成外延层；/n其中，在所述气相沉积过程中加入抑制所述外延层的生长的气体，以调节位于所述晶圆的边缘区域的所述外延层的厚度，提高所述外延层的平坦度。/n
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