[发明专利]一种基于TSV的多芯片的封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910689442.4 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110335859A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李恒甫;曹立强 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李静 |
| 地址： | 200131 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片封装领域，具体涉及一种基于TSV的多芯片的封装结构及其制备方法，多芯片封装结构包括互连结构；第一芯片，设置在互连结构上；转接板，设置在互连结构上，转接板与第一芯片位于互连结构上的同一侧，转接板的厚度大于第一芯片；第二芯片，第二芯片设置在转接板上，且与互连结构相对设置；以及，封装层。通过设置互连结构与转接板，转接板具有一定厚度，且第二芯片安装在转接板上，使得第一芯片与第二芯片可以处于两个不同高度的平面上，从而实现了多芯片之间的三维封装，与现有技术相比，本发明提供的封装结构中，第一芯片与第二芯片的尺寸之和不必再受限于互连结构平面尺寸的大小，从而扩展了芯片封装结构的多元化发展。 | ||
| 搜索关键词： | 互连结构 转接板 芯片 封装结构 多芯片 制备 多芯片封装结构 芯片封装结构 芯片封装领域 三维封装 相对设置 芯片安装 多元化 封装层 受限 | ||
【主权项】：
1.一种基于TSV的多芯片封装结构，其特征在于，包括：互连结构(1)，其上布设有互连线(102)；第一芯片(2)，其设置在所述互连结构(1)上且与所述互连结构(1)电连接；转接板(3)，其上开设有TSV阵列(31)，所述TSV孔内填充有导电金属，所述转接板(3)设置在互连结构(1)上且与所述互连结构(1)电连接，所述转接板(3)与所述第一芯片(2)位于所述互连结构(1)上的同一侧，所述转接板(3)的厚度大于所述第一芯片(2)；第二芯片(4)，所述第二芯片(4)设置在所述转接板(3)上，且与所述互连结构(1)相对设置，所述第二芯片(4)与所述转接板(3)电连接；以及，封装层(5)，设置在互连结构(1)上，用于对所述转接板(3)、第一芯片(2)以及第二芯片(4)进行封装。
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