[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910584672.4 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN110828383A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 三本孝博 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，防止保持螺母的螺母保持构件的破损。本发明所涉及的半导体装置(1)具备：主端子(3)，其借助螺栓来与外部导体连接；螺母(6)，螺栓的前端拧入于该螺母(6)；以及螺母保持构件(5)，其保持螺母。螺母保持构件具有用于收容螺母的凹部(52)。在形成凹部的周壁部(53)的一部分形成有缺口部(54)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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- 清水康贵 - 三菱电机株式会社
- 2021-03-12 - 2021-10-12 - H01L23/053
- 涉及半导体装置及其制造方法。目的是提供可削减在对将半导体元件围绕的壳体进行成型时使用的模具的制造所耗费的时间和制造成本的技术。半导体装置(100)具有：基座板(2)；冷却板(1)；绝缘基板(3)；半导体元件(6)；壳体(7)；引线框(8)，其与壳体(7)一体地形成并且在引线框的一个端部形成的端子(8a)凸出至壳体(7)外；以及封装材料(10)。壳体(7)具有：一对第1壳体部件(7a、7b)，以彼此相对的方式配置；以及一对第2壳体部件(7c、7d)，以与一对第1壳体部件(7a、7b)交叉并且彼此相对的方式配置。一对第1壳体部件(7a、7b)与一对第2壳体部件(7c、7d)通过彼此的两个端部连结而形成壳体(7)。
- 一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构-202110281484.1
- 陈甲锋 - 陈甲锋
- 2021-03-16 - 2021-10-08 - H01L23/053
- 本发明公开了一种高性能碳化硅半导体场效应晶体管结构，包括场效应晶体管本体，所述场效应晶体管本体包括场效应晶体管底座和场效应晶体管外腔，所述场效应晶体管外腔内扣在场效应晶体管底座的顶面上，所述场效应晶体管底座与场效应晶体管外腔之间设置有若干组走线架，所述场效应晶体管底座的一侧开设有三个转动槽，三个所述转动槽的内部分别设置有铰轴一，所述铰轴一上转动连接有T型连接架，通过在走线板上开设有走线槽，将走线槽设置成左端开口大、右端开口小的喇叭状结构，使走线槽能够实现对多根导线进行整合安装，使场效应晶体管本体内部结构组装更加合理，降低场效应晶体管底座本体的故障率，提高场效应晶体管底座本体的使用寿命。
- 半导体装置-201810642931.X
- 江口佳佑;木村义孝;山下秋彦 - 三菱电机株式会社
- 2018-06-21 - 2021-09-21 - H01L23/053
- 本发明涉及半导体装置，目的是得到可提高可靠性的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体元件；壳体，其包围该半导体元件；弹簧端子，其具有沿该壳体的侧面延伸至该壳体的上表面的第1连接部和在该壳体的上表面设置的第2连接部；以及控制基板，其设置在该第2连接部之上，该第1连接部固定于该壳体，与该半导体元件连接，该第2连接部具有第1端部和与该第1端部相反侧的第2端部，该第1端部与该第1连接部的位于该壳体的上表面侧的端部连接，该第2连接部为平板状，以该第1端部作为支点而具有弹性力，该第2端部以具有弹性力的状态与该控制基板接触，该第2连接部具有在沿长度方向的侧面设置有切口的缩颈构造。
- 一种高耐压功率模块器件装置-202021877415.4
- 任成东;陆建正;张晓飞;张天宝 - 新风光电子科技股份有限公司
- 2020-09-01 - 2021-04-09 - H01L23/053
- 本实用新型的高耐压功率模块器件装置，包括绝缘外壳、导热陶瓷板、功率模块和模块压板，绝缘外壳的前侧侧固定有螺柱，功率模块上开设有第二通孔，模块压板上开设有与螺柱相配合的第一通孔，第一通孔内设置有紧固螺栓，模块压板的后侧设置有与第二通孔相配合的定位销，定位销安装于第二通孔内用于对功率模块的限位，紧固螺栓穿过模块压板上的第一通孔安装到螺柱内；功率模块与绝缘外壳之间设置有用于对功率模块导热绝缘用的导热陶瓷板。功率模块设置于绝缘主体内部，能够对功率器件具有一定的保护作用又能增大电气间隙及爬电距离。导热陶瓷板具有高耐压、高导热的特性。整个装置的导热性能不会降低的情况下具有高耐压的特性。
- 专利分类
