[发明专利]用于产生半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201910559552.9 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110648982A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | J·魏尔斯;A·伯姆;A·毛德;P·申德勒;S·特根;A·蒂尔克;U·瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于产生半导体装置的方法，所述方法包括：使用蚀刻工艺部分地去除布置在第一半导体层(120)和第二半导体层(140)之间的支撑层(130)，由此在所述第一半导体层(120)和所述第二半导体层(140)之间形成至少一个底切部；利用具有比所述支撑层(130)高的热导率的第一材料(150)至少部分地填充所述至少一个底切部；以及在所述第二半导体层中或上形成传感器器件(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 底切部 支撑层 半导体装置 传感器器件 第一材料 蚀刻工艺 热导率 去除 填充 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：/n使用蚀刻工艺部分地去除布置在第一半导体层(120)和第二半导体层(140)之间的支撑层(130)，由此在所述第一半导体层(120)和所述第二半导体层(140)之间形成至少一个底切部；/n利用具有比所述支撑层(130)高的热导率(λ
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