[发明专利]一种半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910534448.4 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110391289B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 欧阳颖洁;王启光;苏睿;夏志良;刘藩东 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/11563;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有层堆叠结构，所述层堆叠结构中设有多个沟道孔，所述沟道孔自所述层堆叠结构顶面开口，并往所述层堆叠结构底面方向延伸；形成栅介质膜层于所述沟道孔的侧壁与底面；形成屏障层于所述栅介质膜层表面；形成沟道材料层于所述屏障层表面。本发明的半导体结构及其制作方法在栅介质膜层与沟道材料层之间增加了屏障层，相对于栅介质膜层中的隧穿层，该屏障层具有更高的势垒高度、更大的致密度及更少的陷阱能级，使得存储器件在数据保持过程中，阻挡电子的能力进一步增强，有效避免了电子从隧穿层中逸出，从而改善了存储器件的IVS问题，提高了数据保持力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有层堆叠结构，所述层堆叠结构中设有多个沟道孔，所述沟道孔自所述层堆叠结构顶面开口，并往所述层堆叠结构底面方向延伸；形成栅介质膜层于所述沟道孔的侧壁与底面；形成屏障层于所述栅介质膜层表面；形成沟道材料层于所述屏障层表面。
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