[发明专利]一种贵金属纳米复合材料的制备方法在审

申请号：	201910462879.4	申请日：	2019-05-30
公开（公告）号：	CN110029324A	公开（公告）日：	2019-07-19
发明（设计）人：	邱越;郑卓群	申请（专利权）人：	邱越;安徽奔马先端科技有限公司
主分类号：	C23C16/18	分类号：	C23C16/18;C23C16/455;B82Y40/00
代理公司：	六安众信知识产权代理事务所(普通合伙) 34123	代理人：	鲍龙凤
地址：	237000 ***	国省代码：	安徽;34
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摘要：	本发明公开了贵金属复合材料的制备技术，具体涉及一种金属Pt纳米复合材料的制备方法，所述制备方法，包括以下步骤：首先通过气泡法制备多孔金属基底；随后将该基底放入原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)设备的反应腔中，通过高温高真空处理，除去表面存在的杂质和水分等；最后通过交替通入贵金属前驱体和臭氧，在多孔金属表面沉积得到分散均匀的贵金属纳米颗粒。简单通过改变沉积的次数，即可实现贵金属纳米颗粒粒径的精密调控。本发明仅通过ALD设备即可制备出贵金属纳米复合材料，制备方法简单，材料粒径精确可控，具有普适性。
搜索关键词：	制备贵金属纳米颗粒贵金属纳米复合材料基底沉积贵金属复合材料多孔金属表面贵金属前驱体纳米复合材料原子层沉积材料粒径多孔金属分散均匀反应腔高真空普适性臭氧放入可控粒径精密金属调控
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【主权项】：

1.一种贵金属纳米复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)用起泡法制备多孔金属基底；(2)将多孔基底置于原子层沉积设备反应腔中；(3)在所述基底表面生长一层贵金属有机前驱体；(4)向所述原子层沉积设备反应腔中通入氧源，通过化学反应，与之前化学吸附在多孔基底上的贵金属有机前驱体进行反应，形成贵金属纳米颗粒。

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发明人：宋禹忻;王庶民;张振普;李耀耀;张立瑶 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp3化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电子进行轰击，在所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜的界面处形成钝化层或非晶态层以断开所述sp3化学键，所述α‑Sn晶体薄膜的Sn原子之间重构成sp2化学键形成一种二维锡烯材料。根据本发明提供的方法，采用常规的商用单晶衬底以及难度显著降低的常规外延方法即可实现大尺寸二维锡烯材料的制备，总之，本发明相对现有技术提供了一种衬底选择范围扩大的、可行的、易操作、简单的二维锡烯材料的制备方法。

一种高纯气瓶内壁MOCVD镀镍装置-201721543174.8
发明人：刘玉强;肖冬明;马国生;江林;罗世铭;张华;陈正乾;李登瑞;王大窝;杨超;王金鹏;陈旭军 -专利权人：金川集团股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本实用新型公开了一种高纯气瓶内壁MOCVD镀镍装置，包括分解器、加热器、测温热电偶、羰基镍进气管、CO/N₂进气连接管、CO进气管、N₂进气管、出气管、排废管、分解器连接管、压力计、羰基镍进气控制阀、CO/N₂进气控制阀、排废控制阀和分解处理控制阀，能控制进入高纯气瓶内的气体流量、浓度、温度，维持高纯气瓶内部压力在合理的范围内，通过采用羰基镍和CO混合气体在一定压力和温度条件下沉积镍，能在高纯气瓶内壁上沉积一层致密、连续、均匀、光滑的镀镍层，能够很好的满足高纯气瓶的镀镍需求，且能较好的解决现有技术不适用于不规则容器的镀镍均匀性问题，不仅适用于高纯气瓶内壁的镀镍，还能广泛适用于大型结构复杂物件的镀镍作业。

一种金属有机化学气相沉积装置-201720659028.5
发明人：于明珂;徐洪权;王晓红 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本实用新型公开了一种金属有机化学气相沉积装置，它涉及半导体外延生长设备技术领域；所述箱体的内底部安装有支撑轴，所述支撑轴的内上端安装有低速电机，所述低速电机的转轴上连接有安装板，所述安装板的上侧设置有衬底，所述安装板的两端均安装有风叶，所述箱体内部的上端安装有气体喷淋机构，所述气体喷淋机构上分别安装有进气管一与进气管二，所述进气管一与进气管二上均安装有控制阀门，所述箱体的左端安装有观察窗，所述排气管穿接在箱体的左侧；本实用新型便于实现快速混合与沉积，且气体混合均匀，操作简便，效率高，节省时间。

一种两步法制备多孔铱的方法-201610202922.X
发明人：岳峻逸;刘科学;谭成文;于晓东;苏铁健 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明属于一种多孔材料的制备领域，具体公开了一种“化学气相沉积”+“高温焙烧”两步法制备多孔铱的方法。第一步是“化学气相沉积的方法制备铱”选用的基体为钼，可以使用共反应气体来提高沉积质量。得到沉积在钼基体上的铱后，使用合适的腐蚀剂腐蚀掉基体，得到金属铱。第二步是“高温焙烧的方法制备多孔铱”对铱在高温、保护气氛下进行高温焙烧，得到多孔铱。由于多孔铱熔点高，脆性大，常规方法制备多孔铱较为困难，本发明采用化学气相沉积后高温焙烧的方式，得到多孔铱，工艺流程较为简单，孔隙率，平均孔径可以控制。

托盘晶圆定位系统、方法及MOCVD设备-201410678373.4
发明人：黄玉峰;马法君;徐春阳;赵辉 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明涉及一种托盘晶圆定位系统、方法及MOCVD系统，在托盘旋转时，测量托盘上至少两圈晶圆对应的光学信号，得到至少两组光学信号序列；将所测得的至少两组光学信号序列作为一个整体，和包括有托盘位置信息及晶圆放置信息的位置信息模板进行匹配；找出匹配程度最高时各圈晶圆对应的光学信号在各自序列中的位置，进而确定托盘上各圈晶圆中每个晶圆的编号。本发明在硬件设置本身无法提供有效的定位信号的情况下，依靠托盘上凹槽位置的特性，对于采集光学信号进行处理分析，实现对托盘上对每片晶圆的绝对定位，进而可以将采集的数据分割而得到各个晶圆所对应的数据。

一种MOCVD设备反应腔体-201710203985.1
发明人：李致文;张勇 -专利权人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C23C16/18
摘要：本发明公开了一种MOCVD设备反应腔体，包括腔体壁，其形成反应腔；腔体盖，其设置在反应腔的顶端开口处；载片盘，其设置在反应腔的底部；喷淋头，其设置在反应腔的顶部，喷淋头上设置有供不同气体进入反应腔的多种进气区域，每种进气区域上设置有喷淋口，喷淋口的出气端口与反应腔连通，喷淋口与所述载片盘垂直；多种进气管道，分别与对应的进气区域连通，进气管道的出气口穿过腔体盖与所述喷淋口的进气端口连通，进气管道的进气口位于所述腔体盖外。该MOCVD设备反应腔体使不同的气体经各自的进气管道进入，再通过与各自对应的进气区域上的喷淋口进入反应腔，使得反应腔内的气体分布均匀，进而使得进气时反应腔内的气场分布均匀。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]一种贵金属纳米复合材料的制备方法在审

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