[发明专利]化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统及其方法有效
申请号: | 201510666396.8 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN105624638B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 吴中远;钟步青 | 申请(专利权)人: | 汉民科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/52 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北巿大*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是关于一种化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统及其方法。该系统包括:承载盘绕着中心轴旋转,该承载盘包含多个晶片承载器分别承载晶片并进行自转。工艺气体靠近该晶片的第一表面经加热反应形成薄膜沉积在该第一表面上。均热板设置于相对该晶片第一表面的第二表面。一个或多个温度测量器用于获得该均热板相对于该晶片的反面温度。以该反面温度推测该晶片的晶片端温度。本发明可避免晶片端温度的测量受到工艺的干扰。 | ||
搜索关键词: | 化学 沉积 晶片 薄膜 温度 控制系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相沉积的晶片及薄膜温度的控制系统,其特征在于包含:承载盘,绕着中心轴旋转;多个晶片承载器,位于该承载盘,每个该晶片承载器承载一个晶片,并进行自转;工艺气体,靠近该晶片的第一表面,经加热反应形成薄膜沉积在该第一表面上;均热板,设置于该晶片第二表面,用于加热该晶片,该第二表面相对于该第一表面;一个或多个温度测量器,设置于接近该第二表面的一侧,用于获得该均热板相对于该晶片的反面温度,并以该反面温度推测该晶片的晶片端温度;其中该晶片及薄膜温度的控制是以该一个或多个温度测量器的温度设定值做反复迭代回授温度控制,于工艺初始时,该一个或多个温度测量器的温度设定值SET1与该晶片的该晶片端温度T2具有一温度差ΔT,并以该均热板相对于该晶片的该反面温度T1加上ΔT作为该一或多个温度测量器的温度设定值,经反复迭代回授温度控制,使得ΔT趋近于零。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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