[发明专利]一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途在审
| 申请号： | 201910068247.X | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109609927A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;朱宝;丁子君;刘文军;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/44;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴;刘琰 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳氮掺杂的金属钴薄膜、其制备方法及用途，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入Co(EtCp)2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧保护气氛吹洗；S3，向反应腔中通入NH3等离子体，使其与含有Co(EtCp)2的衬底表面充分发生化学反应；S4，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净，获得碳氮掺杂的金属钴薄膜；其中，碳氮掺杂的金属钴薄膜厚度依循环数而定。本发明提供的方法工艺流程简单易控，与集成电路制造工艺兼容性好，生长温度低，生长温度区间大，电阻率低，表面均匀平整。 | ||
| 搜索关键词： | 反应腔 金属钴薄膜 掺杂的 碳氮 等离子体 无氧保护气氛 衬底表面 反应循环 吹洗 制备 集成电路制造工艺 化学反应 反应副产物 温度区间 生长 工艺流程 电阻率 兼容性 循环数 蒸汽 平整 | ||
【主权项】：
1.一种碳氮掺杂的金属钴薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入Co(EtCp)2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应的Co(EtCp)2蒸汽吹洗干净；S3，向反应腔中通入NH3等离子体，使其与含有Co(EtCp)2的衬底表面充分发生化学反应；S4，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净，获得碳氮掺杂的金属钴薄膜；其中，碳氮掺杂的金属钴薄膜厚度依循环数而定。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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