[发明专利]超结器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201910362625.5 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110246888A | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 徐大朋;梁欢;黄肖艳;薛忠营;罗杰馨;柴展 | 申请（专利权）人： | 上海功成半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201822 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超结器件结构及其制备方法，所述超结器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的渐变外延层，形成于所述半导体衬底上；所述渐变外延层由具有两种以上组分构成的固溶体组成，且与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；所述固溶体的组分比沿所述渐变外延层的厚度方向变化；第二导电类型的柱结构，形成于所述渐变外延层内，沿所述外延层的厚度方向延伸。本发明通过生长固溶体组分随厚度方向变化且与半导体衬底具有不同晶格常数的渐变外延层，使晶格缺陷在外延层厚度方向均匀可控，通过优化器件的反向恢复特性，实现在器件关断阶段载流子迅速减少的目的；本发明的工艺简单且成本较低，适于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 渐变 衬底 半导体 超结器件 固溶体 第一导电类型 晶格常数 制备 载流子 反向恢复特性 导电类型 晶格缺陷 优化器件 柱结构 组分比 关断 可控 生长 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种超结器件结构，其特征在于，包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的渐变外延层，形成于所述半导体衬底上；所述渐变外延层由具有两种以上组分构成的固溶体组成，且与所述半导体衬底具有不同的晶格常数；所述固溶体的组分比沿所述渐变外延层的厚度方向变化；第二导电类型的柱结构，形成于所述渐变外延层内，沿所述渐变外延层的厚度方向延伸。
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