[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201910301154.7 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110534571B | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 龚达渊;柳瑞兴;朱振梁;姚智文;雷明达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括半导体衬底、栅极介电质、栅极电极及一对源极/漏极区域。所述栅极介电质安置于所述半导体衬底中以具有界定低于所述半导体衬底的上表面的上边界的凹形轮廓。所述栅极电极安置于所述栅极介电质上方。所述对源极/漏极区域安置于所述栅极介电质的对置侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包含：/n半导体衬底；/n栅极介电质，其位于所述半导体衬底中以具有界定低于所述半导体衬底的上表面的上边界的凹形轮廓；/n栅极电极，其安置于所述栅极介电质上方；及/n一对源极/漏极区域，其位于所述栅极介电质的对置侧上。/n
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