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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]变容二极管、集成电路及形成变容二极管的方法-CN201911006358.4有效
发明人：苏亮宇;姚智文;段孝勤;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开内容的各种实施例涉及一种变容二极管，所述变容二极管包括降低表面场(RESURF)区。在一些实施例中，变容二极管包含漂移区、栅极结构、一对的接触区以及降低表面场区。漂移区位于衬底内且具有第一掺杂类型。栅极结构上覆漂移区。接触区位于衬底内且上覆漂移区。此外，接触区具有第一掺杂类型。栅极结构横向夹在接触区之间。降低表面场区位于衬底中，在漂移区下方且具有第二掺杂类型。第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。降低表面场区有助于耗尽栅极结构下方的漂移区，这降低变容二极管的最小电容且增大变容二极管的调谐范围。
变容二极管集成电路形成方法

[发明专利]半导体器件结构及形成方法-CN202210196469.1在审
发明人：郑志昌;苏柏智;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开了半导体器件结构及形成方法。本公开涉及集成芯片结构。集成芯片结构包括第一小芯片，第一小芯片占主导性地具有耦合到在第一衬底之上的第一多个互连的第一多个集成芯片器件。第一多个集成芯片器件是第一类型集成芯片器件。集成芯片结构还包括第二小芯片，第二小芯片占主导性地具有耦合到在第二衬底之上的第二多个互连的第二多个集成芯片器件。第二多个集成芯片器件是与第一类型集成芯片器件不同的第二类型集成芯片器件。一个或多个小芯片间连接器位于第一小芯片和第二小芯片之间，并且被配置为电耦合第一小芯片和第二小芯片。
半导体器件结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201910301154.7有效
发明人：龚达渊;柳瑞兴;朱振梁;姚智文;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体装置及其制作方法，所述半导体装置包括半导体衬底、栅极介电质、栅极电极及一对源极/漏极区域。所述栅极介电质安置于所述半导体衬底中以具有界定低于所述半导体衬底的上表面的上边界的凹形轮廓。所述栅极电极安置于所述栅极介电质上方。所述对源极/漏极区域安置于所述栅极介电质的对置侧上。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]一种水产养殖用固体微生态制剂的制备方法-CN202210246729.1在审
发明人：王际辉;雷明达;王波;肖珊 -专利权人：东莞理工学院
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C12N11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种水产养殖用固体微生态制剂的制备方法，本发明属于微生态制剂领域，公开了一种光合细菌、芽孢杆菌、酵母菌和乳酸菌复合培养的条件，以及复合培养后固体微生态制剂及其方法与应用。本发明的方法简单，得到了复合培养的最佳条件，克服了多菌种之间的拮抗作用，节约了时间降低了成本，所制备的固定化小球效果好，提高了对污染物的降解能力。
一种水产养殖固体生态制剂制备方法

[发明专利]集成芯片和制造集成芯片的方法-CN202210026168.4在审
发明人：蒋昕志;林东阳;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对集成芯片。集成芯片包括：半导体衬底，具有位于处理衬底上面的器件衬底以及设置在器件衬底和处理衬底之间的绝缘层。栅电极位于漏极区域和源极区域之间的器件衬底上面。导电通孔延伸穿过器件衬底和绝缘层以接触处理衬底。第一隔离结构设置在器件衬底内并且包括横向设置在栅电极和导电通孔之间的第一隔离段。接触区域设置在第一隔离段和导电通孔之间的器件衬底内。导电栅电极直接位于第一隔离段上面并且电耦接至接触区域。本申请的实施例还涉及制造集成芯片的方法。
集成芯片制造方法

[发明专利]使用底部击穿电流路径的雪崩保护晶体管及其形成方法-CN202110069074.0在审
发明人：苏亮宇;蔡宏智;柳瑞兴;雷明达;杨彰台;夏德殷;钟于彰;杨南盈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种雪崩保护场效晶体管在半导体衬底内包括：主体半导体层及经掺杂主体接触区，具有第一导电类型的掺杂；以及源极区、漏极区，具有第二导电类型的掺杂。隐埋的第一导电类型阱可位于半导体衬底内。隐埋的第一导电类型阱位于漏极区之下，且在平面图中与漏极区具有面积交叠，且在垂直方向上与漏极区间隔开，并且具有比主体半导体层高的第一导电类型的掺杂剂的原子浓度。场效晶体管的配置在雪崩击穿期间诱导超过90％的碰撞电离电荷从源极区流动、穿过隐埋的第一导电类型阱、并撞击在漏极区的底表面上。另提供一种形成半导体结构的方法。
使用底部击穿电流路径雪崩保护晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201811257747.X有效
发明人：郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴;雷明达;黄士芬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体元件，包括具有元件区域的半导体基板。隔离结构于封闭路径中横向延伸，以标定元件区域。第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，位于元件区域中且横向相隔。第一源极/漏极区域的侧壁与隔离结构于第一隔离结构侧壁直接接触。第一源极/漏极区域的其余侧壁与隔离结构分隔。选择性导电沟道位于元件区域中，选择性导电沟道自第一源极/漏极区域横向延伸至第二源极/漏极区域。半导体元件还包括具有中央部分及第一外围部分的平板。中央部分覆盖选择性导电沟道，且第一外围部分朝第一隔离结构侧壁突出于中央部分。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]晶体管器件及其制造方法-CN202110034706.X在审
发明人：朱振樑;周建志;郑志昌;陈奕寰;郑光茗;雷明达;柳瑞兴;龚达渊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供具有凹进栅极结构的晶体管器件。在一些实施例中，晶体管器件包括半导体衬底，该半导体衬底包括被隔离结构包围的器件区域和设置在该器件区域中并且在第一方向上彼此横向间隔开的成对的源极/漏极区域。栅极结构位于器件区域和隔离结构上面并且布置在成对的源极/漏极区域之间。栅极结构包括设置在器件区域的在垂直于第一方向的第二方向上的相对侧上的成对的凹槽区域。沟道区域设置在栅极结构下方的器件区域中。该沟道区域具有在第二方向上从凹槽区域中的一个延伸到凹槽区域中的另一个的沟道宽度。本申请的实施例还涉及用于制造晶体管器件的方法。
晶体管器件及其制造方法

[发明专利]集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法-CN202010070584.5在审
发明人：何嘉政;雷明达;钟于彰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种集成芯片及用于形成高压晶体管器件的方法。在所述集成芯片中，栅极电极在源极区与漏极区之间上覆于衬底。漂移区横向布置在栅极电极与漏极区之间。多个层间介电(ILD)层上覆于衬底。多个层间介电层包含位于第二层间介电层之下的第一层间介电层。多个导电互连层设置在多个层间介电层内。场板从第一层间介电层的顶部表面延伸到通过第一层间介电层与漂移区竖直分离的点。场板在朝向漏极区的方向上与栅极电极横向偏移达非零距离。场板包含与多个导电互连层中的至少一者相同的材料。
集成芯片用于形成高压晶体管器件方法

[发明专利]具有电流增益的超高压静电放电保护器件-CN201410026856.6有效
发明人：蒋昕志;林东阳;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有电流增益的超高静电放电保护器件。一种被配置为增大电流增益的半导体器件包括具有第一导电类型的半导体衬底。该器件还包括具有第二导电类型的第一半导体区。该器件还包括位于第一半导体区中并具有第一导电类型的第二半导体区。该器件又包括位于第一半导体区中并具有第二导电类型的第三半导体区。该器件还包括位于第一半导体区外部并具有第一导电类型的第四半导体区。该器件还包括位于第一半导体区外部、邻近第四半导体区并具有第二导电类型的第五半导体区。该器件又包括电连接至第三半导体区的第一电极。该器件还包括电连接至第四半导体区和第五半导体区的第二电极。
具有电流增益超高压静电放电保护器件

[发明专利]具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件-CN201410032859.0有效
发明人：林东阳;蒋昕志;柳瑞兴;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种被配置为提供高散热性并提高击穿电压的半导体器件，该半导体器件包括衬底、位于衬底上方的埋氧层、在衬底中位于埋氧层下方的掩埋n+区域以及位于埋氧层上方的外延层。外延层包括p阱、n阱以及介于p阱和n阱之间的漂移区。该半导体器件还包括源极接触件、将源极接触件电连接至p阱的第一电极、以及位于p阱的一部分和漂移区的一部分的上方的栅极。该半导体器件还包括漏极接触件和从漏极接触件延伸穿过n阱并穿过埋氧层到达掩埋n+区域的第二电极。第二电极将漏极接触件电连接至n阱和掩埋n+区域。本发明还提供了具有穿过埋氧层的漏极侧接触件的半导体器件。
具有穿过埋氧层漏极侧接触半导体器件

[发明专利]物联网中的传感器及其制造方法-CN201610867497.6有效
发明人： 雷明达;朱家骅;蒋昕志;陈东村;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种物联网中的气体传感器。气体传感器包括：衬底；设置在衬底的上方的导体；以及设置在导体的上方的感测膜。导体具有包括多个开口的顶视图图案，开口的最小尺寸小于约4微米，并且周界围绕开口。本发明的一些实施例提供了一种制造气体传感器的方法。该方法包括接收衬底；在衬底的上方形成导体；通过蚀刻操作来图案化导体以在导体中形成多个开口，以及在导体上方形成气体感测膜。开口以重复图案布置，并且开口的最小尺寸为大约4微米。
联网中的传感器及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201210048831.7有效
发明人：蔡雯琪;赖加瀚;陈永君;王美匀;吴启明;陈方正;陈煌明;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了半导体器件及其形成方法，具体公开了用于形成和使用衬垫的系统和方法。一个实施例包括：在衬底之上的层间电介质中形成开口；以及沿着开口的侧壁形成衬垫。从开口的底部去除衬垫的一部分，并且可以穿过衬垫执行清洁工艺。通过使用衬垫，可以减小或消除由清洁工艺引起的对开口侧壁的损伤。此外，衬垫可用于帮助将离子注入衬底。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法-CN200710079914.1有效
发明人：陈国香;雷明达;王永智;黄加星 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法，适用于检测一集成电路内的一开口，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；于该介电层内形成一开口；将该基底接地；利用一扫描型电子显微镜扫描该基底，以产生一电压对比影像；判定该开口内的该电压对比影像的一灰阶；以及采用该灰阶以判定位于该开口内底部的该介电层的剩余厚度。本发明所述的开口内底部薄膜剩余厚度的判别方法，可判定介层物/接触物开口的剩余厚度，精准地调整蚀刻接触蚀刻停止层的蚀刻程序。
开口底部薄膜剩余厚度判别方法

[发明专利]集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法-CN200610127623.0有效
发明人：陈国香;雷明达 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提出一种集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法。此方法包括提供一个具有一个第一区间与第二区间的靶结构的基底。首先将第二区间接地，然后使用电子扫描显微镜扫描此基底以产生电压对照影像。之后，判断在电压对照影像中第一区间的灰阶层级，以及使用此灰阶层级来判断介于第一区间与第二区间的漏电流。本发明所述集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法，以可缩短检测漏电流的反馈时间，快速的找出漏电流的所在以及强度，而用以提供制程时更精确的校准。
集成电路金属氧化物半导体元件判断漏电方法

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