[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910180884.6 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111696961B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 周志飙 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，其中该半导体结构包含有一正面氧化层位于一背面氧化层上，一正面电子元件，位于该正面氧化层中，一背面电子元件，位于该背面氧化层中，以及一屏蔽层结构，位于该正面氧化层与该背面氧化层之间，其中该屏蔽层结构包含一图案化埋层金属层，两正面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一正面，以及两背面接触结构，位于该图案化埋层金属层的一背面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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