[发明专利]半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置在审
| 申请号： | 201910173482.3 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109872962A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 镰仓司;田边光朗;大桥直史;西谷英辅;高崎唯史;松井俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;李平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置，解决因在基板上形成的器件结构而导致基板的处理品质降低的问题。半导体装置的制造方法包括如下工序，即：接收基板数据的工序，该基板数据包含形成在基板上的器件的层数及结构的任一方或双方；设定与基板数据对应的装置参数的工序；在基板载置台的上方支撑与基板数据对应的基板的工序；在从基板载置台的表面远离的状态下基于装置参数使基板升温的第一升温工序；在第一升温工序之后使基板载置于基板载置台的工序；以及在处理室内对基板进行处理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 基板 半导体装置 基板载置台 基板数据 基板处理装置 存储介质 升温工序 装置参数 制造 接收基板 器件结构 对基板 室内 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：接收基板数据的工序，该基板数据包含形成在基板上的器件的层数及结构的任一方或双方；设定与所述基板数据对应的装置参数的工序；在基板载置台的上方支撑与所述基板数据对应的基板的工序；在从所述基板载置台的表面远离的状态下基于所述装置参数使所述基板升温的第一升温工序；在所述第一升温工序之后使所述基板载置于所述基板载置台的工序；以及在处理室内对所述基板进行处理的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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