[发明专利]具有有机光活性层的像素化的传感器装置在审
| 申请号： | 201910113387.4 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN110164905A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | P·托 | 申请（专利权）人： | 弗莱克因艾伯勒有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/30 | 分类号： | H01L27/30;H01L51/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本公开涉及具有有机光活性层的像素化的传感器装置。一种像素化的光学传感器装置，包括：层的堆叠，支撑在基板上，并限定像素电极的阵列和用于独立地寻址每个像素电极的电路；与像素电极的阵列电接触的有机光活性层；以及一个或多个反电极，经由有机光活性层与像素电极的阵列电接触；其中像素电极由贵金属材料形成，并且一个或多个反电极包括聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐材料。 | ||
| 搜索关键词： | 像素电极 有机光活性层 像素化 传感器装置 电接触 反电极 光学传感器装置 聚苯乙烯磺酸盐 亚乙二氧基噻吩 贵金属材料 堆叠 基板 寻址 电路 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种像素化的光学传感器装置，包括：层的堆叠，被支撑在基板上，并限定像素电极的阵列和用于独立地寻址每个像素电极的电路；有机光活性层，与像素电极的阵列电接触；以及一个或多个反电极，经由有机光活性层与像素电极的阵列电接触；其中像素电极由贵金属材料形成，并且所述一个或多个反电极包括聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)聚苯乙烯磺酸盐材料。
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- 光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-201310536129.X
- 宇高融;村田昌树;榎修;青沼雅义;宫地左伊;伊藤琢哉;须藤美贵;森本类;佐佐木裕人 - 索尼公司
- 2013-11-01 - 2017-07-14 - H01L27/30
- 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有光电转换层，其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体，还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体；以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
