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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]摄像装置-CN202180054992.4在审
发明人： 矶野俊介;留河优子;境田良太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开的摄像装置具备第1电极、光电转换膜和第2电极。光电转换膜位于比第1电极更靠下。第2电极位于比第1电极更靠下。第2电极由多个层来构成。多个层包含含有氮化钽的第1层。多个层中的最上层包含金属氮化物。
摄像装置

[发明专利]摄像装置-CN201980034442.9在审
发明人： 矶野俊介;百濑龙典;境田良太 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备光电转换层、第1像素电极、第2像素电极、屏蔽电极和第1屏蔽过孔。光电转换层将入射光转换为电荷。第1像素电极收集由光电转换层生成的电荷。第2像素电极收集由光电转换层生成的电荷。第2像素电极在第1方向上与第1像素电极相邻。屏蔽电极与第1像素电极及第2像素电极电分离。第1屏蔽过孔从屏蔽电极延伸。在平面视中，第1屏蔽过孔位于第1像素电极与第2像素电极之间。
摄像装置

[发明专利]电子设备-CN201880087504.8在审
发明人：高濑雅之;矶野俊介;留河优子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本公开的一个方式所涉及的电子设备具备：电容元件、绝缘层、被设置于所述绝缘层的至少1个沟槽、以及至少一部分被所述绝缘层包围的第1导电插塞。所述电容元件包含：第1下部电极，沿着所述至少1个沟槽的内壁设置；介电体层，被设置在所述第1下部电极上；以及上部电极，被设置在所述介电体层上。所述第1导电插塞的至少一部分位于所述绝缘层的上表面与所述至少1个沟槽的最下部之间。
电子设备

[发明专利]摄像装置-CN201811611505.6在审
发明人： 矶野俊介;仲顺秋男 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：一种摄像装置，减少膜剥离等不良情况的发生。具备：半导体基板，具有排列有多个像素的像素区域和与像素区域相邻的周边区域；绝缘层，覆盖半导体基板的像素区域及周边区域；第一电极，在像素区域中位于绝缘层上；光电转换层，覆盖第一电极；第二电极，覆盖光电转换层；第一层，覆盖第二电极且在像素区域及周边区域中位于绝缘层上或第二电极上，周边区域中的第一层的厚度大于像素区域中的第一层的厚度，周边区域中的第一层的上表面位于比像素区域中的第一层的上表面靠上方的位置。
像素区域周边区域第一层绝缘层第二电极半导体基板光电转换层第一电极摄像装置覆盖上表面膜剥离像素

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810091997.0有效
发明人： 矶野俊介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，首先，在布线形成区域(R1)形成第一金属布线(102)，在密封环区域(R2)上形成第二金属布线(103)。其次，通过化学机械研磨法或蚀刻，使第一金属布线及第二金属布线的上部凹入，形成凹部(110)。然后，在基板上形成掩埋凹部的第二绝缘膜(104)，使其表面平坦化。其次，将孔状图形(106)及沟槽状图形(107)形成到第二绝缘膜的途中，进行灰化或聚合物的除去。然后，使孔状图形及沟槽状图形达到第一金属布线及第二金属布线。根据本发明，在形成孔状图形和密封环用的沟槽状图形时，防止沟槽状图形和孔状图形达到下面的布线层，从而防止布线层中的金属腐蚀。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410011842.3有效
发明人： 矶野俊介 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-09-22 - 公布日： 2005-03-30 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，首先，在布线形成区域(R1)形成第一金属布线(102)，在密封环区域(R2)上形成第二金属布线(103)。其次，通过化学机械研磨法或蚀刻，使第一金属布线及第二金属布线的上部凹入，形成凹部(110)。然后，在基板上形成掩埋凹部的第二绝缘膜(104)，使其表面平坦化。其次，将孔状图形(106)及沟槽状图形(107)形成到第二绝缘膜的途中，进行灰化或聚合物的除去。然后，使孔状图形及沟槽状图形达到第一金属布线及第二金属布线。根据本发明，在形成孔状图形和密封环用的沟槽状图形时，防止沟槽状图形和孔状图形达到下面的布线层，从而防止布线层中的金属腐蚀。
半导体器件及其制造方法

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