[发明专利]制作用于太阳能电池的电流收集格栅的方法有效
申请号: | 201580074713.5 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN107210317B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 约翰·博斯曼;崔斯特瑞姆·布德尔 | 申请(专利权)人: | 荷兰能源研究中心基金会 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/44 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 制作用于太阳能电池的电流收集格栅的方法,该方法包括以下步骤:a)在基板(8)上设置连续层堆(1),层堆(1)包括上导电层(2)和下导电层(3),该上导电层(2)和下导电层(3)具有介于它们之间的光敏层(4);b)选择性地去除上导电层(2)和光敏层(4)以获得第一接触孔(10),第一接触孔(10)延伸通过上导电层(2)和光敏层(4),从而暴露下导电层(3);c)在上导电层(2)上印刷前接触体(6)以及在下导电层(3)上第一接触孔(10)中印刷后接触体(5),并且形成在上导电层(2)与后接触体(5)之间围绕后接触体(5)的电绝缘第一间隙。 | ||
搜索关键词: | 制作 用于 太阳能电池 电流 收集 格栅 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作用于太阳能电池的电流收集格栅的方法,所述方法包括以下步骤:a)在基板(8)上设置连续层堆(1),所述层堆(1)包括上导电层(2)和下导电层(3),所述上导电层(2)和所述下导电层(3)具有介于它们之间的光敏层(4);b)选择性地去除所述上导电层(2)和所述光敏层(4),以获得第一接触孔(10),所述第一接触孔(10)延伸通过所述上导电层(2)和所述光敏层(4),从而暴露所述下导电层(3);c)在所述上导电层(2)上印刷前接触体(6),以及在所述下导电层(3)上的所述第一接触孔(10)中印刷后接触体(5),并且形成电绝缘第一间隙,所述电绝缘第一间隙在所述上导电层(2)与所述后接触体(5)之间围绕所述后接触体(5)。
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- J·J·刘 - 通用电气公司
- 2015-07-22 - 2017-08-18 - H01L27/30
- X射线检测器组件包括具有下表面和上表面的聚合衬底,以及设置在衬底的上表面上的X射线检测器。X射线检测器包括设置在衬底上的薄膜晶体管阵列,设置在薄膜晶体管阵列上的有机光电二极管和设置在有机光电二极管上的闪烁体。金属阻挡层基本上在闪烁体的上表面上,基本上在闪烁体、有机光电二极管和薄膜晶体管阵列的外围延伸的边缘上,并且基本上在衬底的下表面上延伸。
- 光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备-201310536129.X
- 宇高融;村田昌树;榎修;青沼雅义;宫地左伊;伊藤琢哉;须藤美贵;森本类;佐佐木裕人 - 索尼公司
- 2013-11-01 - 2017-07-14 - H01L27/30
- 本发明涉及光电转换元件、固体摄像装置以及电子设备。固体摄像装置在多个像素的每一个具有光电转换层,其包括第一导电型的第一有机半导体以及第二导电型的第二有机半导体,还添加有由第一有机半导体以及第二有机半导体中的一个有机半导体的衍生物或异构体构成的第三有机半导体;以及夹着光电转换层的第一电极以及第二电极。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的