[发明专利]气体传感器以及传感器装置有效
| 申请号： | 201580077528.1 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107430086B | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 百濑悟;壶井修;柄泽一明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G01N27/416 | 分类号： | G01N27/416 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 气体传感器具备：p型半导体层(1)，其包含铜或者银，且与检测对象气体接触；第一电极(2)，其相对于p型半导体层成为肖特基电极；高电阻层(3)，其在p型半导体层与第一电极之间以p型半导体层和第一电极部分接触的方式设置，且具有比p型半导体层以及第一电极高的电阻；以及第二电极(4)，其相对于p型半导体层成为欧姆电极。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 传感器 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种气体传感器，其特征在于，具备：p型半导体层，其包含铜或者银，且与检测对象气体接触；第一电极，其相对于上述p型半导体层成为肖特基电极；高电阻层，其在上述p型半导体层与上述第一电极之间以上述p型半导体层和上述第一电极部分接触的方式设置，且具有比上述p型半导体层以及上述第一电极高的电阻；以及第二电极，其相对于上述p型半导体层成为欧姆电极。
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