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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硫属化物材料、开关器件、和存储器件-CN202310376723.0在审
发明人：成河俊;康永宰;具本原;朴用永;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
硫属化物材料开关器件存储

[发明专利]防止莫尔可见性的图案结构和使用该图案结构的显示装置-CN201811091535.9有效
发明人：赵恩亨;具本原;金铉埈;金海成;元正渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K59/10 文献下载
摘要：提供了一种用于防止莫尔图案变得可见的图案结构，以及使用该图案结构的显示装置。图案结构包括：第一元件图案，包括以第一间距规则排列的多个第一元件；第二元件图案，包括以第二间距规则排列的多个第二元件，第二元件图案设置在第一元件图案上；以及填充层，被配置为填充多个第二元件中的相邻第二元件之间的间隙。第二元件的透射率和填充层的透射率之间的差异为约5％或更小，因此，可以防止由于第一元件图案与第二元件图案的交叠而产生的莫尔图案变得可见。
防止莫尔可见图案结构使用显示装置

[发明专利]开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件-CN202210367881.5在审
发明人：崔旻雨;具本原;朴用永;成河俊;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
开关器件制造方法以及包括存储

[发明专利]电阻式存储器装置-CN202210423496.8在审
发明人：金充满;具本原;安东浩;梁基延;吴哲;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
电阻存储器装置

[发明专利]硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置-CN202110775864.0在审
发明人：梁基延;具本原;权世甲;金充满;朴用永;安东浩;俞承根;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置-CN202111268571.X在审
发明人：梁祐荣;具本原;金充满;朴洸珉;成河俊;安东浩;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
包括元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置-CN201811086256.3在审
发明人：朴敬培;鲜于文旭;具本原;卢卓均;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
光电二极管器件光电二极管层光检测元件图像传感器滤色器层成像装置滤色器第二电极第一电极弯曲结构弯曲凸起像素区域有机材料制造

[发明专利]有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件-CN201210157507.9有效
发明人：金周永;郑明燮;宋炳权;具本原;俞炳旭;李智热;金渡桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C09D4/06 文献下载
摘要：提供有机钝化层组合物及含有机钝化层的晶体管和电子器件。所述有机钝化层组合物包括：包括由以下化学式1和2表示的结构单元的低聚物或聚合物，和交联剂。在化学式1和2中，各取代基与具体的说明书中定义的相同。[化学式1][化学式2]
有机钝化组合晶体管电子器件

[发明专利]通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法-CN200710163090.6无效
发明人：金渡桓;韩政锡;李相润;具本原 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-30 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法。根据该方法，有机薄膜晶体管的半导体层和源/漏电极之间界面的稳定性可得到保证。因此，通过该方法制成的有机薄膜晶体管可具有改进的性能特性，如，最小化的或下降的接触电阻和增加的电荷载流子迁移率。
通过有机半导体材料氧化选择性还原制造薄膜晶体管方法

[发明专利]共聚物、形成堤用组合物、及使用该组合物形成堤的方法-CN200710153177.5无效
发明人：韩政锡;印奎烈;具本原;韩国珉;李相润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： C08G81/00 文献下载
摘要：公开了一种全氟聚醚衍生物和光敏聚合物的共聚物，包含该共聚物的用于形成堤的组合物，和使用该组合物形成堤的方法。还公开了一种包含该组合物的有机薄膜晶体管，和包括该有机薄膜晶体管的电子器件。使用该共聚物可以使得能够通过溶液涂布方法形成堤。因为可以制造包括该方法形成的堤的有机薄膜晶体管，而有机薄膜晶体管的特性没有任何退化，可以表现出改善的电子性质。
共聚物形成组合使用方法

[发明专利]电极的形成方法和有机薄膜晶体管及显示装置-CN200710088552.2无效
发明人： 具本原;李相润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-03-16 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成有机电子装置电极的方法，其可以使用增大范围的导电材料来形成源/漏电极。所公开的方法还可以在有机电子装置制造期间使用不同的导电材料来形成数据线和源/漏电极。根据该方法制造的有机电子装置可以提供超出常规方法的优点，例如包括有机电子装置形成中改善的构图和精确性。根据所公开方法制造的有机电子装置期望用于显示装置和电子显示器中。
电极形成方法有机薄膜晶体管显示装置

[发明专利]制备有机薄膜晶体管的方法-CN200510129418.3无效
发明人：朴铉定;具本原;李相润;郑银贞;金周永;慎重汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-12-08 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。
制备有机薄膜晶体管方法

[发明专利]构图导电聚合物层的方法、有机发光装置及其制造方法-CN200610006080.7有效
发明人：金相烈;姜仁男;李泰雨;具本原;朴商勋;金有珍;金武谦;朴钟辰 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供构图导电聚合物的方法、利用构图导电聚合物的方法制造的有机发光装置(OLED)、以及制造OLED的方法。构图导电聚合物的方法包括：在基板上形成导电聚合物层；将遮蔽掩模对齐在所述导电聚合物层上；以及通过经所述遮蔽掩模辐照带电粒子束，在所述导电聚合物层中形成导电聚合物图案区域和绝缘区域。
构图导电聚合物方法有机发光装置及其制造

[发明专利]包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法-CN200610003637.1有效
发明人：金周永;李恩庆;李芳璘;具本原;朴铉定;李相润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-01-09 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I_开/I_关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
包括类聚薄膜有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]形成有机绝缘膜的组合物及用其形成有机绝缘膜图案的方法-CN200510098086.7无效
发明人：慎重汉;李泰雨;具本原;李芳璘;李相润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：在此公开了一种用于形成有机绝缘膜的光构图组合物，其中包含：(i)一种含有功能基的单体；(ii)一种在光照下产生酸或自由基的引发剂和(iii)一种有机或无机聚合物。更进一步公开了使用该组合物形成有机绝缘膜图案的方法。根据本发明，由于有机绝缘膜无需任何光致抗蚀剂处理就能简单地构图，故简化了整体的工序，最终能够通过全湿工艺制得具有高电荷迁移率的有机薄膜晶体管。
形成有机绝缘组合图案方法

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