[发明专利]半导体结构以及形成半导体结构的方法有效
| 申请号： | 201910106363.6 | 申请日： | 2019-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN110610926B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 艾伦·罗斯;艾力克·苏宁;徐英智;尼克·萨姆拉;斯帝芬·鲁苏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的实施例，提供了半导体结构和形成半导体结构的方法，其中，在IC器件封装结构中形成电感器。结构包括密封材料，其中，铁磁芯位于密封材料中。在密封材料中提供多个金属层，从而形成围绕铁磁芯延伸的电感线圈以形成电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：/n密封材料；/n铁磁芯，位于所述密封材料中；/n多个金属层，位于所述密封材料中，形成围绕所述铁磁芯延伸的电感线圈以形成电感器。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910106363.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路封装体及其制造方法
- 下一篇：多芯片封装互联结构
