[发明专利]集成填料电容器单元器件以及对应的制造方法

摘要

本公开的实施例涉及集成填料电容器单元器件以及对应的制造方法。半导体区域包括：隔离区域，该隔离区域界定出半导体区域的工作区。沟槽位于工作区中并且进一步延伸到隔离区域中。沟槽被通过隔离围闭件与工作区绝缘的导电中心部填充。覆盖区域被定位成至少覆盖已填充沟槽的第一部分，其中第一部分位于工作区中。介电层与已填充沟槽接触。金属硅化物层至少位于在已填充沟槽的第二部分的导电中心部上，其中第二部分未被覆盖区域覆盖。

主权项

1.一种集成电路，包括：第一半导体区域；隔离区域，所述隔离区域界定出所述第一半导体区域的工作区；至少一个沟槽，位于所述工作区中、并且延伸到所述隔离区域中，所述沟槽由被包围在隔离围闭件中的导电中心部填充；覆盖区域，所述覆盖区域至少覆盖所述已填充沟槽的第一部分，所述已填充沟槽的所述第一部分位于所述工作区中，所述覆盖区域包括与所述已填充沟槽接触的至少一个介电层；金属硅化物层，所述金属硅化物层至少位于所述已填充沟槽的第二部分的所述中心部上，所述已填充沟槽的所述第二部分未被所述覆盖区域覆盖；所述第一半导体区域中的第一触点，所述第一触点形成填料电容器单元器件的第一电极；所述沟槽的所述第二部分的所述中心部的所述金属硅化物层上的第二触点，所述第二触点形成所述填料电容器单元器件的第二电极。