[发明专利]集成填料电容器单元器件以及对应的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

第一半导体区域；

隔离区域，所述隔离区域界定出所述第一半导体区域的工作区；

至少一个沟槽，位于所述工作区中、并且延伸到所述隔离区域中，所述沟槽由被包围在隔离围闭件中的导电中心部填充；

覆盖区域，所述覆盖区域至少覆盖所述已填充沟槽的第一部分，所述已填充沟槽的所述第一部分位于所述工作区中，所述覆盖区域包括与所述已填充沟槽接触的至少一个介电层；

金属硅化物层，所述金属硅化物层至少位于所述已填充沟槽的第二部分的所述中心部上，所述已填充沟槽的所述第二部分未被所述覆盖区域覆盖；

所述第一半导体区域中的第一触点，所述第一触点形成填料电容器单元器件的第一电极；

所述沟槽的所述第二部分的所述中心部的所述金属硅化物层上的第二触点，所述第二触点形成所述填料电容器单元器件的第二电极。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一半导体区域是在半导体衬底内的半导体阱，以及其中所述填料电容器单元器件进一步包括被电连接至所述第二触点的衬底触点。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述覆盖区域包括通过所述介电层与所述已填充沟槽绝缘的导电层，其中所述导电层被电连接至所述第二触点。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述覆盖区域的所述介电层包括晶体管栅极氧化物层。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述覆盖区域的所述介电层包括氧化硅-氮化物-氧化硅层的堆叠。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个沟槽包括被布置为在所述工作区中彼此平行延伸的多个沟槽。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述覆盖区域具有板的形状，所述覆盖区域覆盖所述工作区的整个上表面。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述覆盖区域具有条带的形状，所述覆盖区域覆盖每个已填充沟槽，而不覆盖条带之间的所述工作区的部分。

9.根据权利要求8所述的集成电路，进一步包括：金属硅化物层，所述金属硅化物层位于所述条带之间的所述工作区的表面上。

10.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一半导体区域位于包括逻辑门的电路域内。

11.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述电路域包括多个半导体阱，每个半导体阱包括所述第一半导体区域，以便提供位于逻辑门之间的对应的多个填料电容器单元器件。

12.根据权利要求10所述的集成电路，其中所述逻辑门是电子设备的逻辑电路的部分，所述电子设备从由移动电话或者计算机组成的组选择。

13.一种方法，包括：

形成界定出第一半导体区域的工作区的隔离区域；

在所述工作区中蚀刻至少一个沟槽，所述至少一个沟槽延伸到所述隔离区域中；

利用通过隔离围闭件与所述至少一个沟槽的底部和侧面绝缘的导电中心部来填充所述至少一个沟槽；

形成至少覆盖所述已填充沟槽的第一部分的覆盖区域，所述第一部分位于所述工作区中，所述覆盖区域包括与所述已填充沟槽接触的至少一个介电层；至少硅化所述沟槽的未被所述覆盖区域覆盖的第二部分的所述导电中心部；形成与所述第一半导体区域的第一电触点，以便形成填料电容器单元器件的第一电极；以及

形成与所硅化的导电中心部的第二电触点，以便形成所述填料电容器单元器件的第二电极。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一半导体区域包括半导体衬底中的半导体阱，所述方法进一步包括：将衬底电触点电连接至所述第二电触点。