[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201880013261.3 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110326103B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 坂元创一;藤野纯司;川岛裕史;前田健寿 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社;MIYOSHI电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/12;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种针对热应力进一步提高可靠性的半导体装置。另外，本发明的半导体装置具备：绝缘层(32)；导电层(33)，与绝缘层(32)的一方主面接合；以及半导体元件(1)，配置为上表面与绝缘层(32)的所述一方主面朝向相同的方向，在半导体元件(1)的上表面设置有上表面电极(9)，还具备：具有中空部分(4a)的布线部件(4)，一端与半导体元件(1)的上表面电极(9)电接合，另一端与导电层(33)电接合；第1密封材料(71)；以及第2密封材料(72)，比第1密封材料(71)软，第1密封材料(71)以与半导体元件(1)接触的方式密封半导体元件(1)的至少一部分，第2密封材料(72)以与布线部件(4)接触的方式密封布线部件(4)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：绝缘层；导电层，与所述绝缘层的一方主面接合；以及半导体元件，配置为上表面朝向与所述绝缘层的所述一方主面相同的方向，在所述半导体元件的所述上表面设置有上表面电极，还具备：具有中空部分的布线部件，一端与所述半导体元件的所述上表面电极电接合，另一端与所述导电层电接合；第1密封材料；以及第2密封材料，比所述第1密封材料软，所述第1密封材料以与所述半导体元件接触的方式密封所述半导体元件的至少一部分，所述第2密封材料以与所述布线部件接触的方式密封所述布线部件。
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