[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201880013261.3 申请日: 2018-02-28
公开(公告)号: CN110326103B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 坂元创一;藤野纯司;川岛裕史;前田健寿 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社;MIYOSHI电子株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/12;H01L23/31
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 许海兰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:绝缘层;导电层,与所述绝缘层的一方主面接合;以及半导体元件,配置为上表面朝向与所述绝缘层的所述一方主面相同的方向,其中,

在所述半导体元件的所述上表面设置有上表面电极,

所述半导体装置还具备:

具有中空部分的布线部件,一端与所述半导体元件的所述上表面电极电接合,另一端与所述导电层电接合;

第1密封材料;以及

第2密封材料,

所述第1密封材料以与所述半导体元件接触的方式密封所述半导体元件的至少一部分,

所述第2密封材料以与所述布线部件接触的方式密封所述布线部件,

所述第1密封材料是环氧树脂,

所述第2密封材料是硅酮凝胶,

所述半导体装置还具备散热板,

在所述散热板的一方主面,接合有所述绝缘层的另一方主面,

在所述散热板的所述一方主面,设置有所述散热板未被所述绝缘层覆盖的开口部,

在所述开口部,所述半导体元件的下表面与所述散热板的所述一方主面接合,

所述第1密封材料密封所述半导体元件的至少一部分以及所述开口部,

所述第1密封材料还密封所述布线部件的一端,所述第2密封材料还密封所述布线部件的另一端。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,

所述开口部被所述第1密封材料填充至所述绝缘层的所述一方主面的高度以上。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,

在所述开口部,所述绝缘层的所述一方主面被配置成比所述半导体元件的所述上表面高。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

所述布线部件的与所述第2密封材料接触的面积大于所述布线部件的与所述第1密封材料接触的面积。

5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

所述布线部件是导线。

6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

所述第2密封材料的弯曲弹性模量小于所述第1密封材料的弯曲弹性模量。

7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

所述绝缘层是玻璃环氧。

8.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

接合所述半导体元件和所述散热板的接合材料是导电性树脂,

所述导电性树脂包含环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮中的任意材料和金属填料。

9.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

接合所述半导体元件和所述散热板的接合材料是烧结性接合材料。

10.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

接合所述半导体元件和所述散热板的接合材料的表面是多孔形状。

11.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置,其中,

所述半导体元件是进行高频信号的放大或者开关的元件。

12.根据权利要求11所述的半导体装置,其中,

所述半导体元件以宽能带隙半导体作为材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社;MIYOSHI电子株式会社,未经三菱电机株式会社;MIYOSHI电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880013261.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top