[实用新型]封装结构有效
| 申请号： | 201822232712.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209104143U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种封装结构，包括：重新布线层；底层连接结构，形成于重新布线层的上表面；底层封装层，覆盖重新布线层和底层连接结构；层间天线层，形成于底层封装层的上表面并部分覆盖底层封装层；缓冲层，形成于层间天线层的上表面，包覆层间天线层；顶层连接结构，形成于缓冲层的上表面；顶层封装层，覆盖缓冲层和顶层连接结构；顶层天线层，形成于顶层封装层的上表面。本实用新型通过引入设置于封装层之间的缓冲层，提高了各封装层之间的结合性能，减少了封装层层间开裂的风险，改善了产品良率。此外，通过引入缓冲层还可以减少封装层形成过程中对层间天线层的应力，从而确保了层间天线层的完整性。 | ||
| 搜索关键词： | 封装层 天线层 缓冲层 上表面 顶层 重新布线层 层间 本实用新型 底层连接 封装结构 连接结构 覆盖 产品良率 结合性能 包覆层 引入 对层 封装 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，其特征在于，包括：重新布线层，包括相对的上表面及下表面；底层连接结构，形成于所述重新布线层的上表面，与所述重新布线层电性连接；底层封装层，覆盖所述重新布线层和所述底层连接结构并暴露出所述底层连接结构的顶部；层间天线层，形成于所述底层封装层的上表面并部分覆盖所述底层封装层，所述层间天线层与所述底层连接结构电性连接；缓冲层，形成于所述层间天线层的上表面，包覆所述层间天线层；顶层连接结构，形成于所述缓冲层的上表面，并穿过所述缓冲层与所述层间天线层电性连接；顶层封装层，覆盖所述缓冲层和所述顶层连接结构并暴露出所述顶层连接结构的顶部；顶层天线层，形成于所述顶层封装层的上表面，所述顶层天线层与所述顶层连接结构电性连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体（江阴）有限公司，未经中芯长电半导体（江阴）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822232712.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
