[实用新型]封装结构有效
| 申请号： | 201822232712.2 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209104143U | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装层 天线层 缓冲层 上表面 顶层 重新布线层 层间 本实用新型 底层连接 封装结构 连接结构 覆盖 产品良率 结合性能 包覆层 引入 对层 封装 | ||
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
重新布线层，包括相对的上表面及下表面；
底层连接结构，形成于所述重新布线层的上表面，与所述重新布线层电性连接；
底层封装层，覆盖所述重新布线层和所述底层连接结构并暴露出所述底层连接结构的顶部；
层间天线层，形成于所述底层封装层的上表面并部分覆盖所述底层封装层，所述层间天线层与所述底层连接结构电性连接；
缓冲层，形成于所述层间天线层的上表面，包覆所述层间天线层；
顶层连接结构，形成于所述缓冲层的上表面，并穿过所述缓冲层与所述层间天线层电性连接；
顶层封装层，覆盖所述缓冲层和所述顶层连接结构并暴露出所述顶层连接结构的顶部；
顶层天线层，形成于所述顶层封装层的上表面，所述顶层天线层与所述顶层连接结构电性连接。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述缓冲层包括聚酰亚胺层、硅胶层或环氧树脂层中的一种。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括位于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接的金属凸块和半导体芯片。
4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。
5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于：所述重新布线层的所述电介质层上形成有暴露出所述金属布线层的电介质层开口区域，所述底层连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述金属布线层上的金属连接线。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述缓冲层上形成有暴露出所述层间天线层的缓冲层开口区域，所述顶层连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述层间天线层上的金属连接线。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述层间天线层为N层，N层所述层间天线层上下间隔排布；所述缓冲层为N层，位于同一层的所述缓冲层包覆所述层间天线层；所述封装结构还包括：
N层层间封装层，所述层间封装层包覆位于同一层的所述缓冲层；其中，N为大于等于2的整数；
N层层间连接结构，位于所述层间封装层内，并电性连接相邻两层所述层间天线层；
所述底层连接结构远离所述重新布线层的一端与位于底层的所述层间天线层电性连接；所述顶层连接结构远离所述顶层天线层的一端与位于顶层的所述层间天线层电性连接。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于：所述缓冲层上形成有暴露出所述层间天线层的开口区域，所述层间连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述层间天线层上的金属连接线。
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