[实用新型]封装结构

说明书

本实用新型提供了一种封装结构，包括：重新布线层；底层连接结构，形成于重新布线层的上表面；底层封装层，覆盖重新布线层和底层连接结构；层间天线层，形成于底层封装层的上表面并部分覆盖底层封装层；缓冲层，形成于层间天线层的上表面，包覆层间天线层；顶层连接结构，形成于缓冲层的上表面；顶层封装层，覆盖缓冲层和顶层连接结构；顶层天线层，形成于顶层封装层的上表面。本实用新型通过引入设置于封装层之间的缓冲层，提高了各封装层之间的结合性能，减少了封装层层间开裂的风险，改善了产品良率。此外，通过引入缓冲层还可以减少封装层形成过程中对层间天线层的应力，从而确保了层间天线层的完整性。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种封装结构。

背景技术

扇出型封装是一种晶圆级加工的嵌入式芯片封装方法，具有输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好的特点。扇出型晶圆级封装相较于常规的晶圆级封装具有以下优点：1、I/O间距灵活，不依赖于芯片尺寸；2、只使用有效裸片(die)，产品良率提高；3、具有灵活的3D封装路径，即可以在顶部形成任意阵列的图形；4、具有较好的电性能及热性能；5、可用于高频应用；6、通过重新布线层(RDL)实现高密度布线。

目前，在扇出型封装的多层天线结构封装工艺过程中，在形成一层天线布线层后，一般需要使用填充材料形成封装层，而后在封装层上再继续形成上层的天线布线层，如此反复，以形成多层线性结构封装层。然而，在现有的封装工艺条件下，各层天线结构的封装层之间容易因为结合性能不佳而导致出现层间开裂的问题。此外，在形成封装层过程中，采用注塑或层压等成型工艺还容易使被封装的天线布线层在应力的作用下发生形变，进而影响产品良率。

因此，有必要提出一种新的封装结构，解决上述问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种封装结构，用于解决现有技术中各层天线结构的封装层容易出现层间开裂的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本实用新型提供了一种封装结构，其特征在于，包括：

重新布线层，包括相对的上表面及下表面；

底层连接结构，形成于所述重新布线层的上表面，与所述重新布线层电性连接；

底层封装层，覆盖所述重新布线层和所述底层连接结构并暴露出所述底层连接结构的顶部；

层间天线层，形成于所述底层封装层的上表面并部分覆盖所述底层封装层，所述层间天线层与所述底层连接结构电性连接；

缓冲层，形成于所述层间天线层的上表面，包覆所述层间天线层；

顶层连接结构，形成于所述缓冲层的上表面，并穿过所述缓冲层与所述层间天线层电性连接；

顶层封装层，覆盖所述缓冲层和所述顶层连接结构并暴露出所述顶层连接结构的顶部；

顶层天线层，形成于所述顶层封装层的上表面，所述顶层天线层与所述顶层连接结构电性连接。

作为本实用新型的一种可选方案，所述缓冲层包括聚酰亚胺层、硅胶层或环氧树脂层中的一种。

作为本实用新型的一种可选方案，所述封装结构还包括位于所述重新布线层的下表面，并与所述重新布线层电性连接的金属凸块和半导体芯片。

作为本实用新型的一种可选方案，所述重新布线层包括至少一层金属布线层和包裹所述金属布线层的电介质层。

作为本实用新型的一种可选方案，所述重新布线层的所述电介质层上形成有暴露出所述金属布线层的电介质层开口区域，所述底层连接结构包含采用焊线工艺焊接于所述金属布线层上的金属连接线。