[实用新型]一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片有效

专利信息
申请号: 201820806163.2 申请日: 2018-05-28
公开(公告)号: CN208240713U 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 刘兆;吕奇孟;魏振东;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 申请(专利权)人: 江西乾照光电有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/32;H01L33/06;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 330103 江西省南昌市新*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 实用新型提供了一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片,包括:衬底和位于衬底一侧表面的外延结构、至少一层透明导电层复合膜组、第一电极和第二电极,外延结构包括依次设置于衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层;透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于透明导电层至少一侧表面的金属层,金属层的电阻率小于透明导电层的电阻率,因此,可以降低整个透明导电层的电阻率、从而可以增加电流的横向扩展效率、降低LED芯片的电压,进而可以在保证电压需求的基础上,进一步降低透明导电层的厚度,提高LED芯片的亮度。
搜索关键词: 透明导电层 复合膜 电阻率 半导体层 外延结构 金属层 衬底 本实用新型 衬底表面 第二电极 第一电极 电压需求 横向扩展 依次设置 发光层 量子阱 保证
【主权项】:
1.一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片,其特征在于,包括:衬底和位于所述衬底一侧表面的外延结构、至少一层透明导电层复合膜组、第一电极和第二电极,所述外延结构至少包括依次设置于所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层;所述第一电极位于暴露出所述第一半导体层的平台,且与所述第一半导体层电连接;所述第二电极位于所述透明导电层复合膜组表面,且通过所述透明导电层复合膜组与所述第二半导体层电连接;所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层至少一侧表面的金属层,所述金属层的电阻率小于所述透明导电层的电阻率。
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