[实用新型]一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片

说明书

本实用新型提供了一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片，包括：衬底和位于衬底一侧表面的外延结构、至少一层透明导电层复合膜组、第一电极和第二电极，外延结构包括依次设置于衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于透明导电层至少一侧表面的金属层，金属层的电阻率小于透明导电层的电阻率，因此，可以降低整个透明导电层的电阻率、从而可以增加电流的横向扩展效率、降低LED芯片的电压，进而可以在保证电压需求的基础上，进一步降低透明导电层的厚度，提高LED芯片的亮度。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地说，涉及一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片。

背景技术

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料是当前主流的用于制作LED（Light Emitting Diode，发光二极管）芯片的半导体材料，其中以氮化镓基材料和铝镓铟磷基材料最为普遍。

传统的P型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的电流扩展性能较差，为了使电流能够均匀的注入发光层，通常的做法是在P型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料层上添加一层透明导电层。其中，常用的透明导电层包括氧化铟锡、氧化镉锡、氧化铟和氧化锌等，其中，氧化铟锡（Indium Tin Oxide，ITO）是应用最广泛的一种透明导电层材料。

但是，由于透明导电层的厚度对LED芯片的电压和亮度的影响较大，如透明导电层越厚可获得的电压越低，但太厚的透明导电层又会吸收部分光，影响LED芯片的出光效率，因此，现有技术中都是在保证电压需求的基础上，将透明导电层的厚度降到最低，以降低透明导电层的吸光程度。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片，以进一步降低LED芯片的电压。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片，包括：

衬底和位于所述衬底一侧表面的外延结构、至少一层透明导电层复合膜组、第一电极和第二电极，所述外延结构至少包括依次设置于所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；

所述第一电极位于暴露出所述第一半导体层的平台，且与所述第一半导体层电连接；所述第二电极位于所述透明导电层复合膜组表面，且通过所述透明导电层复合膜组与所述第二半导体层电连接；

所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层至少一侧表面的金属层，所述金属层的电阻率小于所述透明导电层的电阻率。

优选地，所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层一侧表面的金属层。

优选地，所述透明导电层位于所述第二半导体层的表面，所述金属层位于所述透明导电层的表面。

优选地，所述金属层位于所述第二半导体层的表面，所述透明导电层位于所述金属层的表面。

优选地，所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层两侧表面的金属层，其中，第一层金属层位于所述第二半导体层的表面，所述透明导电层位于所述第一层金属层的表面，第二层金属层位于所述透明导电层的表面。

优选地，所述透明导电层为ITO、FTO、ATO、AZO或GZO膜层。

优选地，所述金属层的材料为Al、Zn、Ag或其中至少二种材料的合金。

优选地，所述金属层的厚度为5Å~50 Å。

与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点：