[发明专利]MPS二极管器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811653023.7 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN109860273A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 卓廷厚;李钊君;刘延聪 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种MPS二极管器件及其制备方法。所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述N‑补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。所述MPS二极管能够改善器件导通特性，促使器件的正向压降降低。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 二极管器件 外延层 金属 阳极电极 制备 掺杂 肖特基接触 二极管 导通特性 欧姆接触 阴极电极 正向压降 区表面 碳化硅 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种MPS二极管器件，所述MPS二极管器件自下而上包括阴极电极、N+碳化硅衬底、N‑外延层和阳极电极；所述N‑外延层具有至少两个P+区；其特征在于：相邻两个所述P+区之间具有N‑补偿掺杂区，所述补偿掺杂区的深度小于或者等于所述P+区的深度，所述N‑补偿掺杂区的掺杂浓度高于所述N‑外延层的掺杂浓度；所述阳极电极包括第一金属和第二金属，所述P+区表面与所述第一金属之间为欧姆接触，所述N‑补偿掺杂区表面与所述第二金属之间为肖特基接触。
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