[发明专利]半导体切割道标记结构及半导体切割方法在审

专利信息
申请号: 201811500096.2 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN109390323A 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 黄寓洋 申请(专利权)人: 苏州苏纳光电有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/304;H01L21/67
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 王锋
地址: 215000 江苏省苏州市苏州工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种半导体切割道标记结构及半导体切割方法。所述半导体切割道标记结构包括:沿第一方向间隔设置的多个第一对准标记、沿第二方向间隔设置的多个第二对准标记,所述第一方向与第二方向相垂直,且任一第一对准标记与任一第二对准标记之间均间隔设置。本发明提供的半导体切割方法,x,y两个方向(x方向即第一方向、y方向即第二方向)的切割均可以得到有效的指示,并且可以在切割过程中直接监控划片道的宽度是否正常,如有异常可以随时停机检查,提高了良率。
搜索关键词: 半导体 对准标记 切割 标记结构 切割道 方向间隔 间隔设置 切割过程 划片道 良率 停机 垂直 监控 检查
【主权项】:
1.一种半导体切割道标记结构,其特征在于包括:沿第一方向间隔设置的多个第一对准标记、沿第二方向间隔设置的多个第二对准标记,所述第一方向与第二方向相垂直,且任一第一对准标记与任一第二对准标记之间均间隔设置。
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