[发明专利]一种短时发热的大功率器件封装结构及方法在审
| 申请号： | 201811465260.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109599369A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 任先文;孙会;谭志远;刘平;于婷;力军;龚胜刚 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01L23/053 | 分类号： | H01L23/053;H01L23/373;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 张明利 |
| 地址： | 621900 四川省绵阳市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种短时发热的大功率器件封装结构及方法，属于半导体封装技术领域，该封装结构包括大功率器件和封装壳体，所述封装壳体分为壳体上层和壳体下层，所述壳体上层为一封闭的空腔，所述大功率器件通过绝缘基板装在空腔底部，所述大功率器件的引线从壳体上层侧壁引出，所述壳体下层为一金属实体，在所述金属实体内设置有多个空心腔室，所述空心腔室内填充有相变材料。采用该封装结构的大功率器件无需再安装在靠近热沉的结构件上，其本身运行时，相变材料可以吸收短时间内大功率运行产生的热量，使元器件温度工作在安全的范围内，待机时，相变材料的热量通过印制板或很小的导热结构件散去，相变材料由液态转换到固态，满足下一次运行的条件。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率器件 封装结构 相变材料 壳体上层 封装壳体 壳体下层 空腔 发热 半导体封装技术 大功率运行 导热结构 金属实体 绝缘基板 空心腔室 结构件 空心腔 印制板 运行时 侧壁 待机 热沉 元器件 填充 室内 体内 金属 封闭 转换 吸收 安全 | ||
【主权项】：
1.一种短时发热的大功率器件封装结构，包括大功率器件(5)和封装壳体(4)，其特征在于，所述封装壳体(4)分为壳体上层(10)和壳体下层(11)，所述壳体上层(10)为一封闭的空腔，所述大功率器件(5)通过绝缘基板(6)安装在空腔底部，所述大功率器件(5)的引线(2)从壳体上层(10)侧壁引出，所述壳体下层(11)为一金属实体，在所述金属实体内设置有多个空心腔室(7)，所述空心腔室(7)内填充有相变材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所，未经中国工程物理研究院应用电子学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811465260.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 振动元件及其制造方法、电子装置、电子设备及移动体-201610018706.X
- 山田洋平;松尾敦司;伊井稔博;杉山贵俊 - 精工爱普生株式会社
- 2016-01-12 - 2019-11-12 - H01L23/053
- 本发明提供一种振动元件的制造方法、振动元件、电子装置、电子设备及移动体。并提供一种提高振动元件的成品率和生产率而使制造成本下降的制造方法。作为振动元件的陀螺仪元件(100)的制造方法为，对水晶基板(10)进行加工而形成具有振动臂的陀螺仪元件(100)的外形以及在振动臂上形成凹部(58a、58b)的方法，且包括：外形形成工序，通过干蚀刻而从水晶基板(10)的一个面形成陀螺仪元件(100)的外形；凹部形成工序，通过湿蚀刻而形成凹部(58a、58b)。
- 一种倒立型贴片SOT-23三极管-201920362916.X
- 戴耀军 - 科广电子（东莞）有限公司
- 2019-03-21 - 2019-11-08 - H01L23/053
- 本实用新型提供了一种倒立型贴片SOT‑23三极管，包括绝缘基座、绝缘封装体，所述绝缘基座与所述绝缘封装体之间依次设有发射极导电板、集电极导电板、基极导电板，所述集电极导电板上焊接有第一晶片，所述第一晶片与所述集电极导电板之间连接有第一键合引线，所述发射极导电板上焊接有第二晶片，所述第二晶片与所述基极导电板之间连接有第二键合引线，所述发射极导电板、集电极导电板、基极导电板均连接有靠向所述绝缘封装体一侧翘起的引脚，所述引脚包括延伸部、倾斜部、焊接部，所述延伸部中部上下两端均设有弧型凸起。本实用新型的倒立型贴片SOT‑23三极管，散热性能、防水性能、导电稳定性优异、寿命长。
- 电子功率模块-201910370869.8
- R·里扎;A·米诺蒂;G·蒙塔尔托;F·萨拉莫内 - 意法半导体股份有限公司
- 2016-02-29 - 2019-09-17 - H01L23/053
- 本公开涉及具有增强的热耗散的电子功率模块及其制造方法。一种包括容纳堆叠体(88)的壳体(22)的电子功率模块(20)，其包括：DBC类型或类似的第一衬底(26)；集成了具有一个或多个电传导端子的电子部件的裸片(27)，被机械和热耦合至第一衬底的；和在第一衬底之上和在裸片之上延伸并且呈现出面对裸片的导电路径(32)的DBC类型或类似的第二衬底(29)。裸片通过烧结的热传导膏的第一耦合区域(30)被机械和热耦合至第一衬底；并且电子部件的一个或多个传导端子通过烧结的热传导膏的第二耦合区域(34)被机械、电和热耦合至第二衬底(29)的第一导电路径(32)。
- 芯片保护封壳和方法-201611016940.5
- M·斯坦丁 - 英飞凌科技奥地利有限公司
- 2016-11-18 - 2019-08-16 - H01L23/053
- 本申请涉及芯片保护封壳和方法。在一个实施例中，一种芯片保护封壳，包括：第一电介质层，包括具有至少180℃的分解温度的至少一个有机组分；半导体裸片，嵌入在所述第一电介质层中，所述半导体裸片具有第一表面和厚度t1。第二电介质层布置在所述第一电介质层的第一表面上，所述第二电介质层包括可光限定的聚合物成分；并且导电层布置在所述半导体裸片的第一表面上且电耦合到所述半导体裸片。所述导电层包括厚度t2，其中t2≥t1/3。
- 半导体装置、以及半导体装置的制造方法-201910049451.7
- 高桥卓也;大坪义贵;益本宽之 - 三菱电机株式会社
- 2019-01-18 - 2019-07-30 - H01L23/053
- 本申请说明书所公开的技术的目的在于提供用于在不降低树脂的机械强度的状态下，削减制造成本，而且提高散热性的技术。本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置具备：绝缘基板(12)；半导体元件(14)，其配置于绝缘基板的上表面；壳体(16)，其以将半导体元件收容于内侧的方式与绝缘基板连接；以及树脂(20)，其以将半导体元件埋入的方式填充在壳体的内侧，在壳体的内侧的树脂的上表面形成第1凹部(200)，第1凹部形成于在俯视观察时包含半导体元件整体的位置。
- 压接端子、半导体装置、电力变换装置及压接端子的制造方法-201610424290.1
- 木村义孝;米山玲;山下秋彦 - 三菱电机株式会社
- 2016-06-15 - 2019-06-25 - H01L23/053
- 提供能够使压接部的面朝向希望的角度且具有高强度的压接端子及具有该压接端子的半导体装置、电力变换装置、以及压接端子的制造方法。制作出压接端子用板材(60)后，接着将其根部(51)和主体部(53)弯折。在根部(51)的端部处使得主体部(53)从根部(51)立起，且使得折痕(52)相对于根部(51)的长度方向轴而倾斜。由此，能够形成图3示出的压接端子(50)。根据本实施方式，通过将利用模具而冲裁出的压接端子(50)如图3所示地弯折，从而无需实施扭转加工，能够得到根部(51)的长度方向和折痕(52)形成的角度(θ)不是90°的压接端子(50)。
- 具有改善的密封的功率半导体模块-201610519975.4
- S·施瓦策尔;M·布施屈勒;U·M·G·施瓦策尔 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2016-07-04 - 2019-06-14 - H01L23/053
- 本发明涉及一种功率半导体模块，具有：衬底，用于导热地固定在冷却体处；至少一个半导体组件，布置在衬底上；至少一个连接元件，导电地与半导体组件连接，连接元件在其自由端处具有接触部段；电绝缘的壳体，其中至少部分地容纳有衬底和至少一个半导体组件，并且壳体具有用于连接元件的至少一个通孔；其中至少一个连接元件布置为贯穿通孔，并且其中在壳体外侧上设置有与壳体外侧邻接并且围绕连接元件的层，层由与壳体材料相比可塑性或弹性形变的材料制成；其中接触部段布置为超出层和壳体外侧。
- 一种光学传感器封装结构及其集成板-201610327746.2
- 郑国光;方华斌;孙艳美 - 歌尔股份有限公司
- 2016-05-17 - 2019-06-04 - H01L23/053
- 本发明公开了一种光学传感器封装结构及其集成板，包括衬底以及设置在衬底上并由间隔部分隔开的第一容腔、第二容腔，在所述第一容腔、第二容腔中分别设置有光学传感器芯片、LED芯片；还包括覆盖在第一容腔上端的第一透光板，以及覆盖在第二容腔上端的第二透光板；所述间隔部上端位于第一容腔的一侧设有用于承载第一透光板的第一台阶，所述间隔部上端位于第二容腔的一侧设有用于承载第二透光板的第二台阶。本发明的封装结构，有效防止了LED芯片发出的光直接被光学传感器芯片感应到，有效地解决了芯片之间光串扰的问题，提高了光学传感器的检测精度。
- 一种陶瓷平面焊盘阵列封装外壳及加工方法-201811271088.5
- 唐利锋;程凯;陈寰贝;周昊;张鹏飞 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2018-10-29 - 2019-04-16 - H01L23/053
- 本发明公开了一种陶瓷平面焊盘阵列封装外壳及加工方法，采用与BGA/PGA安装主板相兼容的设计结构；定位模组中部镂空且与焊盘阵列配套，在外壳与主板安装过程可为融化的焊料球提供定位；传输线由表面连接线、内埋连接线和层间通孔构成，为内部封装芯片和电路提供电力和信号输入/输出；陶瓷围框和金属封接框构成后续芯片和电路安装空间，金属封接框上表面可在后续与金属盖板进行气密性封接的结构。外壳采用高温共烧陶瓷技术和电镀的方法进行加工，具有加工方法简单并且减少了板级封装过程铅的使用量、安装高度低、重量轻、机械强度高、化学性能稳定、电性能优良和可靠性高等优点。
- 半导体装置-201510844574.1
- 高桥卓也;大坪义贵 - 三菱电机株式会社
- 2015-11-26 - 2019-04-12 - H01L23/053
- 本发明得到一种具有下述构造的半导体装置，即，在不使用基板固定用的基底板的、无基底板构造中，能够防止基板以向上凸起的状态进行翘曲的现象。外部电极(21)的电极嵌入部(E2)的嵌入垂直电极区域(E21)以及壳体接触用水平电极区域(E22)的一部分，嵌入成型在形成收容壳体(3)的壳体内嵌入区域(3a)内。即，通过将壳体接触用水平电极区域(E22)作为电极嵌入部(E2)的一部分而插入至壳体内嵌入区域(3a)内，由此使壳体接触用水平电极区域(E22)的上表面以及下表面均与壳体内嵌入区域(3a)接触。
- 一种短时发热的大功率器件封装结构及方法-201811465260.0
- 任先文;孙会;谭志远;刘平;于婷;力军;龚胜刚 - 中国工程物理研究院应用电子学研究所
- 2018-12-03 - 2019-04-09 - H01L23/053
- 本发明涉及一种短时发热的大功率器件封装结构及方法，属于半导体封装技术领域，该封装结构包括大功率器件和封装壳体，所述封装壳体分为壳体上层和壳体下层，所述壳体上层为一封闭的空腔，所述大功率器件通过绝缘基板装在空腔底部，所述大功率器件的引线从壳体上层侧壁引出，所述壳体下层为一金属实体，在所述金属实体内设置有多个空心腔室，所述空心腔室内填充有相变材料。采用该封装结构的大功率器件无需再安装在靠近热沉的结构件上，其本身运行时，相变材料可以吸收短时间内大功率运行产生的热量，使元器件温度工作在安全的范围内，待机时，相变材料的热量通过印制板或很小的导热结构件散去，相变材料由液态转换到固态，满足下一次运行的条件。
- 用于装载电子组件的封装模块及其封装盒-201710560958.X
- 潘詠民;范仲成;张崑田 - 广州成汉电子科技有限公司
- 2017-07-11 - 2019-01-18 - H01L23/053
- 一种用于装载电子组件的封装模块及其封装盒，该电子组件具有数个线头，并与该封装模块电连接，又该封装模块还包含一个与该封装盒连接的连接料框，该封装盒包括一个盒座，以及数个端子，该盒座具有至少一个安装壁，以及一个用来装载该电子组件的容室，该安装壁具有数个沿着一个第一方向间隔的端子安装部，所述端子分别安装在该盒座的所述端子安装部上，每个端子都具有一个与其中一个线头电连接的电连部，以及一个与该电连部连接并沿着该第一方向与该电连部错开的接线部，通过所述结构，可以达到方便夹持所述线头，以及方便自动化加工的目的。
- 一种可原位替代SOT-223塑封的陶瓷金属外壳-201821050589.6
- 相裕兵;伊新兵;杨旭东;刘贵庆;李东华 - 济南市半导体元件实验所
- 2018-07-03 - 2019-01-04 - H01L23/053
- 本实用新型提供了一种可原位替代SOT‑223塑封的陶瓷金属外壳，包括陶瓷基座、金属环框、金属盖板、内上导电片、内中导电片、内下左导电片、内下中导电片、内下右导电片、外上导电片、外中导电片、外下左导电片、外下中导电片、外下右导电片以及若干个导电柱；本申请通过结构优化、材料优化以及加工工艺优化，实现了强强联合，制得一种可原位替代SOT‑223塑封、且热阻更小、强度更高、耐冲击性能更高、可靠性更高、耐高温性能更好等的陶瓷金属外壳，且生产加工工艺较简单，便于大批量生产。
- 浮动裸片封装-201780028211.8
- 本杰明·史塔生·库克;史蒂文·库默尔;库尔特·彼得·瓦赫特勒 - 德州仪器公司
- 2017-05-10 - 2018-12-21 - H01L23/053
- 所描述实例包含一种浮动裸片封装(200B‑1)，其包含通过在模制(216)组合件之后牺牲裸片密封剂的升华和裸片附接材料的升华或分离形成的空腔(252)。将模制结构中的针孔通风口(218)提供为升华路径以允许气体逸出，其中所述裸片(206)或裸片堆叠从衬底(202)释放且仅通过接合线(210)悬浮于所述空腔(252)中。
- 一种提高集成电路稳定性的封装结构-201720473980.6
- 周学志;谢清冬 - 信丰明新电子科技有限公司
- 2017-05-02 - 2017-12-19 - H01L23/053
- 本实用新型公开了一种提高集成电路稳定性的封装结构，包括封装盒体、引脚槽、散热槽、散热孔、安装孔、干燥层、金属格栅层、集成电路芯片、引脚、电镀层、封盖和安装脚，所述散热槽的宽度小于引脚的整体长度，所述干燥层为松散的干燥材料制成的板状物，所述金属格栅层为铜质材料制成，所述封盖为金属材料制成，与现有技术相比，本实用新型的有益效果是该新型一种提高集成电路稳定性的封装结构，结构简单，具有较强的机械性能、良好的电气性能、散热性能和化学稳定性，使用简单等优点，适合推广使用。
- 带有印制电路板的半导体模块及其制造方法-201410516578.2
- O.霍尔费尔德 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2014-09-30 - 2017-12-15 - H01L23/053
- 本发明的一个方面涉及半导体模块。半导体模块包括印制电路板（4）、陶瓷衬底（2）和半导体芯片（25）。印制电路板（4）具有绝缘材料（40）、构造在绝缘材料（40）中的凹部（44）以及第一金属化层（41，42），其部分地嵌入绝缘材料（40）中。第一金属化层（41，42）具有印制导线凸起（411，421），其伸入凹部（44）中。陶瓷衬底（2）具有介电的陶瓷绝缘载体（20）以及施加在绝缘载体（20）的上侧（20t）上的上衬底金属化部（21）。半导体芯片（25）布置在上衬底金属化部（21）上并且第一金属化层（41，42）在印制导线凸起（411，421）处与上衬底金属化部（21）机械地和导电地连接。
- 半导体封装体-201621491854.5
- 周建 - 意法半导体有限公司
- 2016-12-30 - 2017-11-17 - H01L23/053
- 本实用新型涉及一种半导体封装体。该封装体的特征在于形成集成嵌入或集成在基底内的锁定机构的多个沟槽、多个通孔和非导电耦接元件。该封装体具有通过超声波塑料焊接而耦接至该非导电耦接元件的帽盖。该封装体保护晶粒免受外界环境或外部应力或两者影响。期望一种用于形成封装体以减少该封装体中的溢胶缺陷的方法。该封装体的制造包括在基底中钻孔；在该基底中形成沟槽；在这些通孔和这些沟槽中形成非导电耦接元件以形成锁定机构；允许该非导电耦接元件硬化并固化；将裸片或晶粒耦接至该基底，并且将帽盖耦接至该非导电耦接元件，从而保护该裸片或晶粒免受外界环境或外部应力或两者影响。
- 一种接收机抗振封装结构-201720102481.6
- 袁家平;吴亚东;何林晋 - 成都沃邦德科技有限公司
- 2017-01-30 - 2017-08-15 - H01L23/053
- 一种接收机抗振封装结构，由两壳体对装固定构成。壳体的内腔中叠设有导电胶层和隔腔层。若干螺钉贯穿壳体底部和导电胶层，将隔腔层固定于所述内腔中。本实用新型通过独立设置的壳体和隔腔层代替传统一体成型浇铸的壳体腔，并通过具有弹性的导电胶层和弹簧螺钉将两者进行柔性连接固定，有利于提高机械应力缓冲能力，保护线路板焊点，降低整机故障率。
- 具有波导转换元件的集成电路模块-201410176248.3
- W.哈特纳;E.泽勒;M.沃杰诺夫斯基 - 英飞凌科技股份有限公司
- 2014-04-29 - 2017-05-10 - H01L23/053
- 公开了具有波导转换元件的集成电路模块。集成电路模块包括封装模制化合物层；射频（RF）集成电路，嵌入在封装模制化合物层内，并且具有RF端口；波导转换结构，嵌入在封装模制化合物层；以及重分布层。波导转换结构包括传输线接口部分、被配置用于耦接到矩形波导外壳的波导接口部分以及被配置为提供在传输线接口部分与波导接口部分之间的模式转换的变换器部分。重分布层包括至少一个绝缘层和至少一个金属化层，跨过封装模制化合物层的表面在RF集成电路与波导转换结构之间延伸。第一重分布层包括RF传输线，其被导通地连接在RF集成电路的RF端口与波导转换结构的传输线接口部分之间。
- 智能功率模块、智能功率模块的制备方法及电力电子设备-201611269862.X
- 冯宇翔 - 广东美的制冷设备有限公司
- 2016-12-30 - 2017-04-26 - H01L23/053
- 本发明提供了一种智能功率模块、智能功率模块的制备方法及电力电子设备，其中，智能功率模块包括电路基板，电路基板的上表面设置有电路布线，电路基板的下表面形成有第一凸起部；多个器件引脚，器件引脚与电路布线电连接；多个元器件，多个元器件倒装在电路布线上；封装外壳，完全包覆电路基板的上表面、电路基板的下表面中除第一凸起部外的部分、电路布线和多个元器件，其中，封装外壳在多个元器件中的功率器件位置处形成有凹槽，第一凸起部与功率器件相对设置，第一凸起部的顶侧面裸露，形成封装外壳的一部分，器件引脚自封装外壳的内侧向外侧伸出；散热组件，设置在凹槽中，散热组件用于对功率器件进行散热。
- 封装载板及其制作方法-201610081018.8
- 王金胜;孙世豪 - 旭德科技股份有限公司
- 2016-02-05 - 2017-03-29 - H01L23/053
- 本发明公开一种封装载板及其制作方法，该封装载板包括基板、至少一导热元件、绝缘材料、第一图案化线路层以及第二图案化线路层。基板具有上表面、下表面以及通孔。导热元件配置于通孔内且具有第一表面与第二表面。绝缘材料具有顶表面、底表面以及由顶表面延伸至导热元件的至少一凹槽。导热元件通过绝缘材料而固定于通孔内，且凹槽暴露出导热元件的部分第一表面。第一图案化线路层配置于上表面与顶表面上，而第二图案化线路层配置于下表面与底表面上。
- 一种带玻璃衬底的芯片的安装结构-201310618154.2
- 朱宗恒;孙广 - 芜湖致通汽车电子有限公司
- 2013-11-27 - 2017-01-11 - H01L23/053
- 本发明公开了一种带玻璃衬底的芯片的安装结构，包括基板（1）和芯片（3），芯片（3）下部设有玻璃衬底（2），基板（1）上设有凹槽，芯片（3）安装在凹槽内，玻璃衬底（2）的外周与凹槽侧壁连接，采用玻璃衬底（2）外周与基板（1）凹槽侧面连接的方式，大大提高了玻璃衬底（2）的承载能力，从而大大提高了芯片（3）的承载能力，使传感器更加稳定可靠。
- 一种光学传感器封装结构-201620454093.X
- 郑国光 - 歌尔股份有限公司
- 2016-05-17 - 2016-12-07 - H01L23/053
- 本实用新型公开了一种光学传感器封装结构，金属壳体上设置有位于不同高度的第一平面段、第二平面段，以及位于第一平面段、第二平面段之间的连接段；其中，所述光学传感器芯片、LED芯片分别安装在第一平面段、第二平面段上的不同侧；所述第一平面段或第二平面段上设置有用于统一光学传感器芯片、LED芯片光学方向的光学窗口；还包括将光学传感器芯片、LED芯片封装在金属壳体上的透光部。本实用新型的封装结构，光学传感器芯片、LED芯片封装通过连接段实现完全光隔离；制造成本不但可以大大降低，而且还简化了制造的工艺，只需要经过传统的冲裁即可得到，提高了封装的灵活性，而且金属壳体的光隔离效果更优。
- 一种光学传感器封装结构及其集成板-201620457123.2
- 郑国光;方华斌;孙艳美 - 歌尔股份有限公司
- 2016-05-17 - 2016-11-30 - H01L23/053
- 本实用新型公开了一种光学传感器封装结构及其集成板，包括衬底以及设置在衬底上并由间隔部分隔开的第一容腔、第二容腔，在所述第一容腔、第二容腔中分别设置有光学传感器芯片、LED芯片；还包括覆盖在第一容腔上端的第一透光板，以及覆盖在第二容腔上端的第二透光板；所述间隔部上端位于第一容腔的一侧设有用于承载第一透光板的第一台阶，所述间隔部上端位于第二容腔的一侧设有用于承载第二透光板的第二台阶。本实用新型的封装结构，有效防止了LED芯片发出的光直接被光学传感器芯片感应到，有效地解决了芯片之间光串扰的问题，提高了光学传感器的检测精度。
- 氮化铝多层陶瓷四边无引线扁平封装外壳-201620653463.2
- 杨振涛;彭博 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2016-06-28 - 2016-11-16 - H01L23/053
- 本实用新型公开了一种氮化铝多层陶瓷四边无引线扁平封装外壳，涉及陶瓷封装技术领域。本实用新型包括陶瓷外壳，陶瓷外壳向上开口，在陶瓷外壳基板的下表面中央设有中央焊盘，在中央焊盘的四周设有引出端焊盘，中央焊盘与引出端焊盘间设有间隙，陶瓷外壳采用氮化铝材料制成，在陶瓷外壳基板的上表面中央设有芯片粘接区，在芯片粘接区的四周设有引线键合区，引线键合区呈放射状，在陶瓷外壳四周的外侧壁上设有若干金属导通槽，芯片粘接区通过键合丝与引线键合区连接，引线键合区通过金属导通槽与引出端焊盘连接。具有散热能力强和可靠性高的特点，可有效减小集成后器件体积和重量，实现小型化，满足功率器件散热要求。
- 一种集成电路多功能保护结构-201610577636.1
- 潘承民 - 柳州首光科技有限公司
- 2016-07-21 - 2016-10-26 - H01L23/053
- 本发明公开了一种集成电路多功能保护结构，包括保护结构本体，所述保护结构本体的上方设有上保护套，所述保护结构本体在上保护套的下方设有下保护套，所述上保护套和下保护套之间通过凹凸组件连接，所述上保护套和下保护套的内侧设有防静电保护层，所述保护结构本体内中部设有集成电路槽，所述集成电路槽的内侧设有集成电路，所述集成电路的左侧设有保护电路芯片，所述集成电路的右侧设有信息安全芯片。该集成电路多功能保护结构，具有结构设计合理、操作简单和保护效果好等优点，可以减小震动对集成电路的损坏，可以普遍推广使用。
- 氮化铝多层陶瓷四边无引线扁平封装外壳-201610483110.7
- 杨振涛;彭博 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2016-06-28 - 2016-08-17 - H01L23/053
- 本发明公开了一种氮化铝多层陶瓷四边无引线扁平封装外壳，涉及陶瓷封装技术领域。本发明包括陶瓷外壳，陶瓷外壳向上开口，在陶瓷外壳基板的下表面中央设有中央焊盘，在中央焊盘的四周设有引出端焊盘，中央焊盘与引出端焊盘间设有间隙，陶瓷外壳采用氮化铝材料制成，在陶瓷外壳基板的上表面中央设有芯片粘接区，在芯片粘接区的四周设有引线键合区，引线键合区呈放射状，在陶瓷外壳四周的外侧壁上设有若干金属导通槽，芯片粘接区通过键合丝与引线键合区连接，引线键合区通过金属导通槽与引出端焊盘连接。具有散热能力强和可靠性高的特点，可有效减小集成后器件体积和重量，实现小型化，满足功率器件散热要求。
- 一种复合基板一体化封装结构-201521095116.4
- 汪涛;李林森;崔嵩;高磊;黄平;李鸿高 - 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 2015-12-27 - 2016-06-29 - H01L23/053
- 本实用新型涉及微电子及光电子产品封装技术领域，具体涉及一种复合基板一体化封装结构。封装结构包括基板层和罩设在基板层上方的密封外壳，且所述基板层与密封外壳围成一密封腔体；所述基板层与密封外壳之间依次设有第一金属化层和粘接层；所述密封腔体内设有元器件，且所述元器件通过第二金属化层连接在基板层上方。由以上技术方案可知，本实用新型通过设置一体化的基板层与密封外壳封装结构，将基板层表面的电性能和密封外壳的密封特性组合在一起，直接在单层或多层布线的基板层表面实现一体化封装的特性，适用于混合集成技术领域，具有尺寸更小、成本更高、可靠性更高等特点。
- IGBT内置多台架电极陶瓷封装外壳-201520994004.6
- 陈国贤;徐宏伟;张琼 - 江阴市赛英电子股份有限公司
- 2015-12-05 - 2016-06-08 - H01L23/053
- 本实用新型涉及一种IGBT内置式多台架独立电极陶瓷封装外壳，包含有可相互盖合在一起的陶瓷底座和上盖，所述陶瓷底座包含有阳极法兰、瓷环、阳极密封碗、门极引线管和内置式多台架独立电极，所述阳极法兰同心焊接在瓷环的上端面，阳极密封碗的上端面同心焊接在瓷环的下端面，所述阳极法兰、瓷环和阳极密封碗自上至下叠合同心焊接，所述门极引线管穿接于瓷环壳壁上；所述上盖包含有阴极密封碗和内置式阴极电极，内置式阴极电极置于阴极密封碗中。
- 一种复合基板一体化封装结构及其制备工艺-201510987495.6
- 汪涛;李林森;崔嵩;高磊;黄平;李鸿高 - 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 2015-12-27 - 2016-04-20 - H01L23/053
- 本发明涉及一种复合基板一体化封装结构及其制备工艺。封装结构包括基板层和罩设在基板层上方的密封外壳，且所述基板层与密封外壳围成一密封腔体；所述基板层与密封外壳之间依次设有第一金属化层和粘接层；所述密封腔体内设有元器件，且所述元器件通过第二金属化层连接在基板层上方。由以上技术方案可知，本发明通过设置一体化的基板层与密封外壳封装结构，将基板层表面的电性能和密封外壳的密封特性组合在一起，直接在单层或多层布线的基板层表面实现一体化封装的特性，适用于混合集成技术领域，具有尺寸更小、成本更高、可靠性更高等特点。
- 专利分类
