[发明专利]在半导体装置中的接垫结构和其制造方法有效
| 申请号： | 201811434905.4 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110034122B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 黄宏书;刘铭棋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 龚诗靖 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露公开一种在半导体装置中的接垫结构和其制造方法。在一实施例中，制造半导体装置的方法包含：在衬底上形成存储器单元；形成导电接垫区域以电耦合到所述存储器单元；在所述导电接垫区域上方沉积介电层；在所述介电层上方形成第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层到穿透所述介电层，由此暴露所述导电接垫区域的第一区；在所述第一钝化层和所述导电接垫区域的所述经暴露第一区上方形成第二钝化层；和蚀刻所述第二钝化层以暴露所述导电接垫区域的第二区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 中的 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，其包括：在衬底上形成存储器单元；形成导电接垫区域以电耦合到所述存储器单元；在所述导电接垫区域上方沉积介电层；在所述介电层上方形成第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层到穿透所述介电层，由此暴露所述导电接垫区域的第一区；在所述第一钝化层和所述导电接垫区域的所述经暴露第一区上方形成第二钝化层；以及蚀刻所述第二钝化层以暴露所述导电接垫区域的第二区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
