[发明专利]在半导体装置中的接垫结构和其制造方法

说明书

本揭露公开一种在半导体装置中的接垫结构和其制造方法。在一实施例中，制造半导体装置的方法包含：在衬底上形成存储器单元；形成导电接垫区域以电耦合到所述存储器单元；在所述导电接垫区域上方沉积介电层；在所述介电层上方形成第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层到穿透所述介电层，由此暴露所述导电接垫区域的第一区；在所述第一钝化层和所述导电接垫区域的所述经暴露第一区上方形成第二钝化层；和蚀刻所述第二钝化层以暴露所述导电接垫区域的第二区。

技术领域

本发明实施例是有关在半导体装置中的接垫结构和其制造方法。

背景技术

在现代半导体装置和系统中，组件的集成和小型化以越来越快的速度发展。成长挑战中的一个是存储器装置的形成。随着在先进技术节点中以较大密度和较小占用面积制造存储器装置，引入更多制造步骤来满足几何和性能要求。然而，生产步骤和成本不可避免地增加。因此，以较高效方式提高现有制造工艺是合乎需要的。

发明内容

本发明的实施例是关于一种制造半导体装置的方法，其包括：在衬底上形成存储器单元；形成导电接垫区域以电耦合到所述存储器单元；在所述导电接垫区域上方沉积介电层；在所述介电层上方形成第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层到穿透所述介电层，由此暴露所述导电接垫区域的第一区；在所述第一钝化层和所述导电接垫区域的所述经暴露第一区上方形成第二钝化层；和蚀刻所述第二钝化层以暴露所述导电接垫区域的第二区。

本发明的实施例是关于一种半导体装置，其包括：衬底；导电接垫区域，其电耦合到所述衬底；第一介电层，其位于所述导电接垫区域上方；钝化层，其位于所述第一介电层上方，其中所述钝化层包括覆盖所述第一介电层的横向延伸部分和位于所述第一介电层的侧壁上的垂直延伸部分，其中所述钝化层的所述横向延伸部分和所述垂直延伸部分透过垂直延伸边界而结合。

本发明的实施例是关于一种半导体结构，其包括：存储器单元；和接垫结构，其电耦合到所述存储器单元，所述接垫结构包括：导电接垫区域，其位于所述存储器单元上方；第一介电层，其放置于所述导电接垫区域上方；和第一钝化层，其位于所述第一介电层上方且暴露所述导电接垫区域的区，其中包括大体上相等厚度的所述第一钝化层的垂直部分覆盖所述第一介电层的侧壁且接触所述导电接垫区域的所述经暴露区。

附图说明

依据与附图一起阅读的以下详细描述最佳地理解本揭露的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种装置未按比例绘制。实际上，为论述清晰起见，可任意地增加或减小各种装置的尺寸。

图1到图3是根据某些实施例的制造半导体装置的方法的中间结构的剖面图。

图4到图10是根据某些实施例的制造图3中的半导体装置的接垫结构的方法的中间结构的剖面图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同装置的诸多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅是实例且并非希望是限制性的。举例来说，在以下描述中第一装置在第二装置上方或所述第二装置上形成可包含其中第一装置与第二装置直接接触地形成的实施例，且也可包含其中额外装置可形成于第一装置与第二装置之间使得第一装置与第二装置可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考编号和/或字母。此重复是出于简单和清晰目的且并非自身指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，可在本文中为易于描述而使用空间相对术语(例如“下面”、“下方”、“下部”、“上面”、“上部”和例如此类)来描述一个元件或装置与另一元件或装置的关系，如各图中所图解说明。所述空间相对术语希望涵盖装置在使用或操作中的除各图中所绘示定向外的不同定向。装备可以其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且可因此同样地解释本文中所使用的空间相对描述语。