[发明专利]形成集成电路阱结构的方法在审
| 申请号： | 201811613412.7 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN110034121A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·瓦奥莱特;弗拉迪米尔·米哈廖夫 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成集成电路的一部分的方法包含：形成具有开口且暴露半导体材料的表面的经图案化掩模；穿过所述开口在所述半导体材料的第一层级处形成第一经掺杂区域；及各向同性地移除所述经图案化掩模的一部分以增加所述开口的宽度。所述方法进一步包含：在各向同性地移除所述经图案化掩模的所述部分之后穿过所述开口在所述半导体区域的第二层级处形成第二经掺杂区域，其中所述第二层级比所述第一层级更靠近于所述半导体材料的所述表面。 | ||
| 搜索关键词： | 层级 半导体材料 图案化掩模 开口 掺杂区域 移除 集成电路 穿过 半导体区域 阱结构 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路的一部分的方法，其包括：形成具有开口且暴露半导体材料的表面的经图案化掩模；穿过所述开口在所述半导体材料的第一层级处形成第一经掺杂区域；各向同性地移除所述经图案化掩模的一部分以增加所述开口的宽度；及在各向同性地移除所述经图案化掩模的所述部分之后，穿过所述开口在所述半导体区域的第二层级处形成第二经掺杂区域；其中所述第二层级比所述第一层级更靠近于所述半导体材料的所述表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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