[发明专利]在半导体装置中的接垫结构和其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包括：

在衬底上形成存储器单元；

形成导电接垫区域以电耦合到所述存储器单元；

在所述导电接垫区域上方沉积介电层；

在所述介电层上方形成第一钝化层；

蚀刻所述第一钝化层到穿透所述介电层，由此暴露所述导电接垫区域的第一区；

在所述第一钝化层和所述导电接垫区域的所述第一区上方形成第二钝化层；以及

蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区，

其中蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区包括：在接触所述第二钝化层的所述第一钝化层的表面上形成凹坑。

2.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区包括：使用自对准方案蚀刻所述第二钝化层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第一钝化层到穿透所述介电层包括暴露所述介电层的侧壁，且其中在所述第一钝化层上方形成第二钝化层包括形成所述第二钝化层以覆盖所述介电层的所述侧壁。

4.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区包括暴露所述第一钝化层的水平部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区包括蚀刻所述第一钝化层的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一钝化层和所述第二钝化层由同一材料形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区包括：在所述第二钝化层的顶部部分处形成修圆拐角。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述导电接垫区域上方沉积介电层包括：在所述导电接垫区域上方使用等离子辅助化学气相沉积形成第一氧化物层，和在所述第一氧化物层上方沉积高密度等离子氧化物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中蚀刻所述第二钝化层的水平部分以留下所述第二钝化层的垂直部分并暴露所述导电接垫区域的第二区包括使所述导电接垫区域凹陷一段深度。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在形成所述第二钝化层之后执行热处理。

11.一种半导体装置，其包括：

衬底；

导电接垫区域，其电耦合到所述衬底；

第一介电层，其位于所述导电接垫区域上方；

钝化层，其位于所述第一介电层上方，其中所述钝化层包括覆盖所述第一介电层的横向延伸部分和位于所述第一介电层的侧壁上的垂直延伸部分，其中所述钝化层的所述横向延伸部分和所述垂直延伸部分透过垂直延伸边界而结合；以及

凹坑，其位于所述钝化层的所述横向延伸部分表面上并在所述垂直延伸边界处。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一介电层包含分层结构。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括电耦合所述衬底与所述导电接垫区域的重布层。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括部分地覆盖所述导电接垫区域的保护区域。

15.根据权利要求11所述的半导体装置，其进一步包括位于所述导电接垫区域上方且由所述钝化层的所述垂直延伸部分的侧壁横向环绕的导电插塞。