[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811401488.3 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109545775B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 315899 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一基底，第一基底的第一表面上形成有温度探测器，所述温度探测器未经封装，并且在第一基底的第二表面上黏着有至少一个芯片，并且，至少一个芯片与温度探测器间隔第一基底而相对设置；以及，第二基底，第二基底的第三表面与第一基底的第一表面键合。在本发明提供的半导体结构中，温度探测器对于芯片温度探测的准确性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一基底，所述第一基底具有两个相对的第一表面和第二表面，所述第一基底的第一表面上形成有温度探测器，所述温度探测器未经封装，并且在所述第一基底的第二表面上黏着有至少一个芯片，其中，至少一个所述芯片与所述温度探测器间隔所述第一基底而相对设置；以及，第二基底，所述第二基底具有两个相对的第三表面和第四表面，所述第二基底的第三表面与所述第一基底的第一表面键合。
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