[发明专利]阵列基板的制造方法

摘要

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层，并进行第一次光刻，以形成包括栅极和存储电容电极的第一层结构；在第一层结构上依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层，并进行第二次光刻，以形成包括硅岛图形、源极和漏极的第二层结构；在第二层结构上依次形成钝化层和平坦化层，在形成钝化层的过程中使IGZO半导体层形成导体化IGZO，并进行第三次光刻以形成导电过孔；在平坦化层上沉积透明导电薄膜，并进行第四次光刻以形成像素电极，并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板的制造方法，仅需四道光罩制程顺序即可实现具有高透过率像素的阵列基板的制作。

主权项

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层，并进行第一次光刻，以使所述金属层形成栅极和存储电容电极，所述氧化铟锡ITO层位于用于形成所述存储电容电极的金属层的上方；依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层，并进行第二次光刻，以在形成有源岛的同时，使所述源漏极金属层形成源极和漏极，所述IGZO半导体层包括位于源极和漏极所在的阵列开关区域的第一部分以及位于像素区的第二部分，所述IGZO半导体层的第一部分形成所述有源岛；依次形成钝化层和平坦化层，并在形成所述钝化层的过程中使位于所述像素区的第二部分的所述IGZO半导体层形成导体化IGZO，再进行第三次光刻，以在所述钝化层和平坦化层上形成导电过孔；在所述平坦化层上沉积透明导电薄膜，并进行第四次光刻，以使所述透明导电薄膜形成像素电极，并连通所述像素电极和所述导电过孔，所述导电过孔用于连通所述像素电极和所述漏极；其中，所述导体化IGZO用于和所述像素电极形成部分存储电容。