[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层，并进行第一次光刻，以使所述金属层形成栅极和存储电容电极，所述氧化铟锡ITO层位于用于形成所述存储电容电极的金属层的上方；

依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层，并进行第二次光刻，以在形成有源岛的同时，使所述源漏极金属层形成源极和漏极，所述IGZO半导体层包括位于源极和漏极所在的阵列开关区域的第一部分以及位于像素区的第二部分，所述IGZO半导体层的第一部分形成所述有源岛；

依次形成钝化层和平坦化层，并在形成所述钝化层的过程中使位于所述像素区的第二部分的所述IGZO半导体层形成导体化IGZO，再进行第三次光刻，以在所述钝化层和平坦化层上形成导电过孔；

在所述平坦化层上沉积透明导电薄膜，并进行第四次光刻，以使所述透明导电薄膜形成像素电极，并连通所述像素电极和所述导电过孔，所述导电过孔用于连通所述像素电极和所述漏极；

其中，所述导体化IGZO用于和所述像素电极形成部分存储电容。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述存储电容电极包括所述金属层和所述ITO层，所述ITO层的图案的线幅宽度大于所述金属层的宽度，至少部分存储电容形成在所述ITO层和所述像素电极之间。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述沉积源漏极金属层之前，还包括：沉积刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述IGZO半导体层在蚀刻所述源漏极金属时被蚀刻。

4.根据权利要求3所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第一次光刻和所述第二次光刻均通过半色调掩模工艺进行。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在形成所述钝化层的过程中使位于所述像素区的第二部分的所述IGZO半导体层形成导体化IGZO具体包括：在形成所述钝化层的过程中通氢气，以使所述IGZO半导体层导体化形成所述导体化IGZO。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述沉积铟镓锌氧化物IGZO半导体层具体包括：采用磁控溅射方式形成所述IGZO半导体层。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成钝化层具体包括：在所述源极、漏极以及未被所述源极和漏极覆盖的所述IGZO半导体层上沉积氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述形成导电过孔具体包括：在所述漏极上方的所述钝化层和所述平坦化层上形成所述导电过孔。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述像素电极为氧化铟锡ITO薄膜。