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- [发明专利]半导体装置-CN201710073456.4有效
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林立凡;杨竣杰
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台达电子工业股份有限公司
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2017-02-10
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2021-06-04
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H01L29/778
- 一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极、第一绝缘层、栅极金属层、贯穿结构、第一源极金属层、漏极金属层与第二源极金属层。源极电极、漏极电极与栅极电极置于主动层上。栅极电极置于源极电极与漏极电极之间。第一绝缘层置于源极电极、漏极电极与栅极电极上。栅极金属层置于栅极电极与第一绝缘层上。栅极金属层包含窄部与宽部。贯穿结构置于栅极金属层与栅极电极之间。第一源极金属层置于源极电极与第一绝缘层上。漏极金属层置于漏极电极与第一绝缘层上。第二源极金属层置于栅极金属层与漏极金属层之间。
- 半导体装置
- [发明专利]晶体管的形成方法-CN201510292729.5在审
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李勇
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2015-06-01
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2017-01-04
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H01L21/336
- 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底，形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁；在栅极结构两侧的鳍部形成源极材料层和漏极材料层；在衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成介质层；在介质层内形成底部露出源极材料层的源极通孔和底部露出漏极材料层的漏极通孔；在源极通孔底部的源极材料层上形成源极金属硅化物层；在漏极通孔底部的漏极材料层上形成漏极金属硅化物层；在源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层上形成金属层，金属层的功函数小于源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层的功函数；对金属层进行退火处理；之后，将所述金属层去除。
- 晶体管形成方法
- [发明专利]半导体器件-CN202111052909.8有效
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林坤;杨天应;刘丽娟;吴文垚
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深圳市时代速信科技有限公司
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2021-09-09
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2021-12-14
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H01L29/40
- 该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和漏极之间的寄生电容，从而提高器件的漏极效率。
- 半导体器件
- [实用新型]氮化镓MISHEMT结构-CN202020496854.4有效
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刘春利
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深圳镓华微电子有限公司
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2020-04-07
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2020-09-08
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H01L21/335
- 本实用新型提供一种氮化镓MISHEMT结构，包括晶圆，晶圆形成有源极金属、漏极金属以及栅门金属，在源极金属、漏极金属以及栅门金属上方覆盖有第一绝缘介质层，第一绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第一链接金属，第一链接金属上方覆盖有第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，第二绝缘介质层覆盖第一源极金属场板、第一漏极金属场板以及露出的第一绝缘介质层，第二绝缘介质层于源极金属以及漏极金属相应位置处分别具有开口并在开口内形成有第二链接金属，第二链接金属表面覆盖有第二源极金属场板以及第二漏极金属场板，在第二源极金属场板和第二漏极金属场板表面覆盖有钝化层，能够有效提高器件抗压性能。
- 氮化mishemt结构
- [发明专利]晶体管的形成方法-CN201510215854.6有效
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李勇
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2015-04-29
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2019-04-26
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H01L29/66
- 一种晶体管的形成方法，包括：提供具有鳍部的半导体衬底；形成横跨鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的鳍部表面形成源极材料层和漏极材料层；在半导体衬底、栅极结构、源极材料层和漏极材料层上形成第一介质层；在第一介质层内形成底部露出源极材料层的第一源极通孔和底部露出漏极材料层的第一漏极通孔；在第一源极通孔底部的源极材料层上形成第一金属层；在第一漏极通孔底部的漏极材料层上形成第二金属层；对第一金属层下的源极材料层和第二金属层下的漏极材料层进行势垒降低离子注入；对第一金属层和第二金属层进行第一退火处理，分别形成源极金属硅化物层和漏极金属硅化物层。
- 晶体管形成方法
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