[发明专利]阵列基板的制造方法

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层，并进行第一次光刻，以形成包括栅极和存储电容电极的第一层结构；在第一层结构上依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层，并进行第二次光刻，以形成包括硅岛图形、源极和漏极的第二层结构；在第二层结构上依次形成钝化层和平坦化层，在形成钝化层的过程中使IGZO半导体层形成导体化IGZO，并进行第三次光刻以形成导电过孔；在平坦化层上沉积透明导电薄膜，并进行第四次光刻以形成像素电极，并连通像素电极和导电过孔。本发明提供一种阵列基板的制造方法，仅需四道光罩制程顺序即可实现具有高透过率像素的阵列基板的制作。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法。

背景技术

液晶显示面板的透过率对液晶显示面板的整体显示性能起着极为重要的作用，透过率越高，液晶显示面板的可现实两度越高，背光源的亮度就可以做的更低，从而降低产品成本，因此如何提升液晶显示面板的透过率是一个非常重要的研究课题。

图1为现有技术提供的阵列基板的线路设计示意图，图2为图1所示的阵列基板在A-A’方向的剖视图，参考图1和图2所示，现有技术提供的阵列基板的制造方法包括六枚光罩制程顺序，包括：第一步：在玻璃基板100上沉积金属层，进行第一次光刻，形成栅极101和存储电容电极102；第二步，依次沉积栅极绝缘层103和铟镓锌氧化物IGZO半导体层104，进行第二次光刻，已形成硅岛图形；第三步，沉积刻蚀阻挡层105，并进行第三次光刻；第四步，沉积源漏极金属层，并进行第四次光刻，以形成源极106和漏极107；第五步，沉积钝化层108和平坦化层109，并进行第五次光刻，以形成导电过孔；第六步，沉积透明导电薄膜，并进行第六次光刻，以形成像素电极110以及导电过孔和像素电极的连通图形。

现有技术提供的六枚光罩制程工艺，虽然可以实现像素电极和存储电容电极的透明化和高透过率化，但是其工艺复杂，制作成本高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板的制造方法，仅需四道光罩制程顺序即可实现具有高透过率像素的阵列基板的制作。

本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：在玻璃基板上依次沉积金属层和氧化铟锡ITO层，并进行第一次光刻，以在所述玻璃基板上形成包括栅极和存储电容电极的第一层结构；

在所述第一层结构上依次沉积栅极绝缘层、铟镓锌氧化物IGZO半导体层和源漏极金属层，并进行第二次光刻，以形成包括硅岛图形、源极和漏极的第二层结构；

在所述第二层结构上依次形成钝化层和平坦化层，并在形成所述钝化层的过程中使所述IGZO半导体层形成导体化IGZO，并进行第三次光刻，以形成导电过孔；

在所述平坦化层上沉积透明导电薄膜，并进行第四次光刻，以形成像素电极，并连通所述像素电极和所述导电过孔。

本发明提供的阵列基板的制造方法，采用半色调掩模工艺，将现有技术中形成栅极绝缘膜、刻蚀阻挡层和源极、漏极的三个光罩制程，简化为一个光罩制程，减少了工序，极大的节约了制造成本。进一步地，存储电容电极采用透明导电薄膜取代现有技术中的金属层，可有效提高像素的开口率，进而提高像素整体的透过率。此外，利用钝化层沉积过程中充入氢气，可以方便地将IGZO半导体层导体化。

如上所述的阵列基板的制造方法，所述存储电容电极包括所述金属层和所述ITO层，所述ITO图案的线幅宽度大于所述金属层的宽度，至少部分存储电容形成在所述ITO层和所述像素电极之间。

如上所述的阵列基板的制造方法，所述存储电容还形成在所述导体化IGZO和所述像素电极之间。

如上所述的阵列基板的制造方法，所述沉积源漏极金属层之前，还包括：沉积刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述IGZO半导体层在蚀刻所述源漏极金属时被蚀刻。