[发明专利]一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器及其制备方法，由6个N型薄膜晶体管，或2个P型和4个N型薄膜晶体管组成；衬底为柔性衬底，N、P型薄膜晶体管的半导体层分别采用N型、P型金属氧化物材料。本发明的存储器的制作方法，包括：a).制备栅极；b).制备栅介质层；c).刻蚀互连线通孔；d).制备SnO半导体层；e).退火处理；f).制备IGZO半导体层；g).制备源、漏电极；h).退火处理。本发明通过N、P型场效应管来形成互补的存储器，具有很高且均衡的读写噪声容限和非常快的读写速度，可被广泛地用于诸如可穿戴设备的大规模柔性电路中，突破了现有SRAM性能低的限制。

主权项

1.一种基于氧化物半导体的高性能静态随机读取存储器，其特征在于，包括6个薄膜晶体管，6个薄膜晶体管为6个N型薄膜晶体管，或者6个薄膜晶体管包括2个P型薄膜晶体管和4个N型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管的有源层的材质为N型氧化物半导体，所述P型薄膜晶体管的有源层的材质为P型氧化物半导体。