[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例半导体装置可以包括：衬底；在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一和第二鳍状结构；在衬底上在所述直线两侧绕第一和第二鳍状结构形成的第一隔离部；分别基于第一和第二鳍状结构在衬底上形成的第一FinFET和第二FinFET，其中，第一和第二FinFET包括在第一隔离部上形成的分别与第一和第二鳍状结构相交的第一和第二栅堆叠；以及第一和第二鳍状结构之间、与第一和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部，其中第二隔离部与第一和第二栅堆叠中至少之一平行延伸，且第二隔离部的下部相对于上部增大，在沿所述直线截取的纵剖面中，第二隔离部的下部和上部在竖直方向上是中心对准的。

主权项

1.一种半导体装置，包括：衬底；在衬底上形成的沿同一直线延伸的第一鳍状结构和第二鳍状结构；在衬底上在所述直线两侧绕第一鳍状结构和第二鳍状结构形成的第一隔离部；基于第一鳍状结构在衬底上形成的第一鳍式场效应晶体管“FinFET”和基于第二鳍状结构在衬底上形成的第二FinFET，其中第一FinFET包括在第一隔离部上形成的与第一鳍状结构相交的第一栅堆叠，第二FInFET包括在第一隔离部上形成的与第二鳍状结构相交的第二栅堆叠；以及第一鳍状结构与第二鳍状结构之间、与第一鳍状结构和第二鳍状结构相交从而将第一鳍状结构和第二鳍状结构彼此隔离的第二隔离部，其中第二隔离部与第一栅堆叠和第二栅堆叠中至少之一平行延伸，且第二隔离部的下部相对于上部增大，其中，在沿所述直线截取的纵剖面中，第二隔离部的所述下部和所述上部在竖直方向上是中心对准的。