[发明专利]一种半导体存储器及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器及其制备方法，在半导体衬底上形成多个间隔排布的有源区；在半导体衬底上沿预定方向形成位线接触窗；沿垂直于预定方向的方向形成字线，以将位线接触窗切断，两条字线中间形成独立的位线接触窗。减小了黄光对准形成位线接触窗的难度，避免了现有技术中形成位线接触孔对准偏差造成的电阻过大的问题。在位线接触窗上方形成位线；允许其与位线接触窗之间具有一定的偏移量，这样既可以实现良好的接触，又能减小电阻。沿字线的平行方向在有源区之间形成隔离线介质层；在字线、位线及所述隔离线介质层之间填充第二导电材料形成导电层。通过字线隔离层和位线隔离层作为侧壁实现存储接触窗之间的自对准隔离，可操作性强。