[发明专利]一种芯片结构在审

专利信息
申请号: 201811022180.8 申请日: 2018-09-04
公开(公告)号: CN109148570A 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳市福来过科技有限公司
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/78
代理公司: 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 代理人: 曹明兰
地址: 518000 广东省深圳市罗湖区东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种芯片结构,其包括有源区及终端区,所述终端区环绕在所述有源区的周侧,所述终端区包括外接区和非外接区,所述外接区与芯片外部的金属层相连,所述芯片结构包括:第一导电类型的衬底;形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层;自所述终端区对应的外延层的上表面延伸至所述外延层的内部的环形结终端结构;形成在所述终端区对应的外延层的上表面的结终端氧化层;形成在所述结终端氧化层的上表面的间隔设置的三个环形的金属场板;填充在外接区的所述金属场板的间隙中的且与所述金属场板短接的金属层。所述芯片结构可以在内部直接串联或并联其他器件。
搜索关键词: 终端区 芯片结构 上表面 外延层 外接 金属场板 第一导电类型 结终端 金属层 氧化层 衬底 源区 间隔设置 直接串联 终端结构 环形结 并联 短接 填充 环绕 芯片 外部 延伸
【主权项】:
1.一种芯片结构,其包括有源区及终端区,所述终端区环绕在所述有源区的周侧,所述终端区包括外接区和非外接区,所述外接区与芯片外部的金属层相连,所述芯片结构包括:第一导电类型的衬底;形成在所述衬底的上表面的第一导电类型的外延层;自所述终端区对应的外延层的上表面延伸至所述外延层的内部的环形结终端结构;形成在所述终端区对应的外延层的上表面的结终端氧化层;形成在所述结终端氧化层的上表面的间隔设置的三个环形的金属场板;填充在外接区对应的所述金属场板的间隙中的且与所述金属场板短接的金属层。
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