[发明专利]半导体封装件和方法有效
| 申请号： | 201810789252.5 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN109786360B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 曾士豪;郭宏瑞;何明哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在实施例中，器件包括：集成电路管芯；与集成电路管芯相邻的通孔；密封集成电路管芯和通孔的模塑料；以及再分布结构，包括：穿过第一介电层延伸的第一导电通孔，第一导电通孔电连接至集成电路管芯，第一介电层位于集成电路管芯、通孔和模塑料上方；以及位于第一介电层和第一导电通孔上方的第一导线，第一导电通孔延伸至第一导线内。本发明的实施例还涉及半导体封装件和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装件，包括：集成电路管芯；通孔，与所述集成电路管芯相邻；模塑料，密封所述集成电路管芯和所述通孔；以及再分布结构，包括：第一导电通孔，穿过第一介电层延伸，所述第一导电通孔电连接至所述集成电路管芯，所述第一介电层位于所述集成电路管芯、所述通孔和所述模塑料上方；以及第一导线，位于所述第一介电层和所述第一导电通孔上方，所述第一导电通孔延伸至所述第一导线内。
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