[发明专利]熔丝结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201810442638.9 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108417558A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郭振强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 栾美洁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种熔丝结构形成方法，包括如下步骤：硅衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层；硅片表面涂光刻胶，刻蚀熔丝区的钝化层和焊盘区的钝化层，再对熔丝区的第二介质层进行刻蚀并停止在第一金属层的上表面；硅片表面淀积第三介质层；硅片表面涂光刻胶并使光刻胶完全填充熔丝通孔和pad通孔；刻蚀光刻胶直至pad通孔里面的光刻胶被完全刻蚀为止；刻蚀硅片表面的第三介质层直至pad通孔上的第三介质层被完全刻蚀；去除硅片表面的所有光刻胶，在熔丝通孔内形成U形的第三介质层。本发明中熔丝结构上的介质层厚度的均匀性由第三介质层淀积的均匀性唯一决定，可以满足熔丝结构中对金属层上的介质层有高要求的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 光刻胶 刻蚀 通孔 硅片表面 熔丝结构 熔丝 钝化层 第一金属层 均匀性 淀积 第二金属层 刻蚀硅片 硅衬底 焊盘区 金属层 上表面 去除 填充 | ||
【主权项】：
1.一种熔丝结构形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，在硅衬底上依次形成第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层和钝化层；步骤二，在硅片表面涂光刻胶，形成熔丝区和焊盘区的光刻胶图形；步骤三，刻蚀熔丝区的钝化层和焊盘区的钝化层，再对熔丝区的第二介质层进行刻蚀并停止在第一金属层的上表面，形成熔丝通孔和pad通孔；步骤四，在整个硅片表面淀积一第三介质层，所述第三介质层的厚度与熔丝结构的保护层厚度要求一致；步骤五，在硅片表面涂光刻胶，并使光刻胶完全填充熔丝通孔和pad通孔；步骤六，刻蚀光刻胶，直至pad通孔里面的光刻胶被完全刻蚀为止；步骤七，刻蚀硅片表面的第三介质层，直至pad通孔上的第三介质层被完全刻蚀；步骤八，去除硅片表面的所有光刻胶，在熔丝通孔内形成U形的第三介质层。
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