[发明专利]半导体芯片的晶圆级封装方法及其封装结构有效

专利信息
申请号: 201810352036.4 申请日: 2018-04-19
公开(公告)号: CN108511409B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 金之雄;谢国梁;王之奇 申请(专利权)人: 苏州晶方半导体科技股份有限公司
主分类号: H01L23/482 分类号: H01L23/482;H01L21/60;H01L21/78
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 常伟
地址: 215000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明揭示了一种半导体芯片的晶圆级封装方法,所述封装方法包括以下步骤:提供晶圆,晶圆具有彼此相对的第一表面以及第二表面,晶圆具有多颗网格排布的芯片,芯片具有感应区以及与感应区电耦合的焊垫;在晶圆的第二表面形成通孔,通孔底部暴露出焊垫;去除相邻两个芯片之间的部分基体;在通孔的底部以及侧壁形成再布线层,再布线层延伸至晶圆的第二表面并与焊垫电连接;在晶圆的第二表面上部以及通孔中形成阻焊层,阻焊层覆盖再布线层;对形成的晶圆级封装结构进行烘烤并进行去除相邻的芯片之间的部分阻焊层;在阻焊层上形成电连接再布线层的电连接端子;对形成的晶圆级封装结构进行切割,以获得多个独立的芯片。
搜索关键词: 半导体 芯片 晶圆级 封装 方法 及其 结构
【主权项】:
1.一种半导体芯片的晶圆级封装方法,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:提供晶圆,所述晶圆具有彼此相对的第一表面以及第二表面,所述晶圆具有多颗网格排布的芯片,所述芯片具有位于所述第一表面的感应区以及与感应区电耦合的焊垫;在所述晶圆的第二表面形成朝向第一表面延伸的通孔,所述通孔底部暴露出所述焊垫;去除相邻两个芯片之间的部分基体;在所述通孔的底部以及侧壁形成再布线层,所述再布线层延伸至所述晶圆的第二表面,所述再布线层与所述焊垫电连接;在所述晶圆的第二表面上部以及所述通孔中形成阻焊层,所述阻焊层覆盖所述再布线层;对形成的晶圆级封装结构进行烘烤并进行去除相邻的芯片之间的部分阻焊层;在阻焊层上形成电连接所述再布线层的电连接端子;对形成的晶圆级封装结构进行切割,以获得多个独立的芯片。
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