[发明专利]一种遂穿场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201810157476.4 | 申请日： | 2018-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN108321197A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 陶桂龙;许高博;毕津顺;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种遂穿场效应晶体管及其制造方法，形成的源区位于部分栅结构下以及栅结构侧面的衬底中，也就是说，栅结构交叠覆盖部分的源区，这样，可以提高栅电压对器件源区/沟道区的电势控制能力，进一步地，源区的面积大于漏区的面积，且源区掺杂浓度高于漏区掺杂浓度，使源区载流子浓度总体上高于漏区载流子浓度，最终形成的具有铁电栅层的栅极具有负电容效应，可以放大栅极表面电势，这些都可以增大器件的遂穿几率，整体提高器件的开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 源区 栅结构 漏区 载流子 场效应晶体管 掺杂 电容效应 电势控制 开态电流 栅极表面 沟道区 栅电压 衬底 电势 交叠 铁电 栅层 制造 放大 侧面 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种遂穿场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；衬底上的栅结构，所述栅结构包括栅介质层以及其上的栅极；位于所述栅结构一侧的衬底中的漏区；位于部分所述栅结构之下以及所述栅结构另一侧的衬底中的源区，所述源区和所述漏区具有不同的掺杂类型。
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