[发明专利]一种溴硅酸铅晶体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810106289.3 申请日: 2018-02-02
公开(公告)号: CN108330542A 公开(公告)日: 2018-07-27
发明(设计)人: 张彦;向迪;王洪超;徐家跃;罗宽宽;袁军平;李星亮 申请(专利权)人: 上海应用技术大学
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34;C30B11/00;C30B33/02
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种溴硅酸铅晶体,分子式为Pb4[SiO4]Br4,属于单斜晶系,空间群为P21/c,晶胞参数为β=92.295(2)°。还提供了上述溴硅酸铅晶体的制备方法,将氧化硅,溴化铅和氧化铅固相合成得到溴硅酸铅多晶料;将溴硅酸铅多晶料采用坩埚下降法在富溴化铅体系中生长,生长参数为:生长炉温设定500~590℃,固液界面温度梯度保持25~50℃/cm,生长速率0.2~0.6mm/h,降温速率10~30℃/h,得到溴硅酸铅晶体。本发明减少溴化铅挥发,极大提高了溴硅酸铅单晶的成品率。
搜索关键词: 硅酸铅 多晶料 溴化铅 生长 制备 坩埚下降法 单斜晶系 固相合成 固液界面 晶胞参数 炉温设定 生长参数 温度梯度 成品率 晶体的 空间群 氧化硅 氧化铅 挥发 单晶 富溴
【主权项】:
1.一种溴硅酸铅晶体,其特征在于,其分子式为Pb4[SiO4]Br4,熔点为514.9℃,为一致熔融化合物,分子量1240.4991,具有对称中心,属于单斜晶系,其空间群为P21/c,晶胞参数为β=92.295(2)°。
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