[实用新型]脊状发光二极管有效
| 申请号： | 201720544793.2 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN206992138U | 公开（公告）日： | 2018-02-09 |
| 发明（设计）人： | 张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种脊状发光二极管，包括SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。本实用新型的脊状发光二极管能够显著提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种脊状发光二极管，其特征在于，包括：SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中：所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和所述P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。
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- 李国强;王文樑;杨美娟 - 华南理工大学
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- 本发明属于纳米柱LED制备的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED及其制备方法。所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED包括铝酸锶钽镧衬底，生长在铝酸锶钽镧衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在GaN纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层，生长在AlN/GaN超晶格层上的非掺杂GaN层，生长在非掺杂GaN层上的n型掺杂GaN层，生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本发明的衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所得的纳米柱LED的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
- 一种半导体发光元件及其制备方法-201710391429.1
- 林继宏;林兓兓;蔡吉明;张家宏 - 安徽三安光电有限公司
- 2017-05-27 - 2019-05-14 - H01L33/02
- 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种半导体发光元件，其至少包括衬底，以及位于所述衬底上的缓冲层、N型层、第一势垒层、浅量子阱层、多量子阱发光层和P型层，其特征在于：于所述N型层和第一势垒层之间插入差排形成层，所述差排形成层包括交替层叠的InxGa1‑xN子层和n‑GaN子层，其中0.01
- 单光子源器件、制备方法及量子存储器-201910142121.2
- 李杨;陶略;张加祥;甘甫烷 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2019-02-26 - 2019-05-10 - H01L33/02
- 本发明提供一种单光子源器件、制备方法及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本发明通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。
- 基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件及其制备方法-201710736265.1
- 云峰;张烨;田振寰 - 西安交通大学
- 2017-08-24 - 2019-05-03 - H01L33/02
- 本发明公开了一种基于复合转移衬底的垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，包括自上到下依次AlN层、深紫外外延结构、反光镜层、过渡金属层及导电衬底，其中，深紫外外延结构包括第一深紫外外延结构及第二深紫外外延结构，反光镜层包括第一反光镜层及第二反光镜层，该LED器件及其制备方法能够有效的解决金属过渡层制作成本高、粘附性差及剥离过程中易出现断裂的问题，同时有效的解决了转移后AlN层去除的技术难题。
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